એક ફોટો-એમિસિવ સેલમાં,ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ $\lambda$ માટે,ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $K$ છે. જો ઉત્તેજક તરંગલંબાઈ બદલીને $\frac{3\lambda}{4}$ કરવામાં આવે,તો સૌથી ઝડપી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા કેટલી હશે?

$670.5\, nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો એક મોનોક્રોમેટિક નિયોન લેમ્પ એક પ્રકાશ-સંવેદનશીલ પદાર્થ પર આપાત થાય છે,જેનો સ્ટોપિંગ વોલ્ટેજ $0.48\, V$ છે. જો પ્રકાશના સ્ત્રોતને $474.6\, nm$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા બીજા સ્ત્રોત સાથે બદલવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ વોલ્ટેજ કેટલો હશે? ($V$ માં)

આઈન્સ્ટાઈનના ફોટોઈલેક્ટ્રિક સમીકરણ મુજબ,ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા અને આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ વચ્ચેનો આલેખ કેવો હોય છે?

$5.01 \, eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી નિકલની સપાટી પર $200 \, nm$ ની અલ્ટ્રાવાયોલેટ પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત થતા સૌથી ઝડપી ફોટોઈલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે જરૂરી પોટેન્શિયલ તફાવત ............... $V$ હોવો જોઈએ.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરમાં, ધાતુની સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા શેના પર આધાર રાખે છે?

ધાતુનું કાર્ય વિધેય $2.3 \ eV$ છે અને આપાત ફોટોનની તરંગલંબાઈ $4.84 \times 10^{-7} \ m$ છે. ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $eV$ માં કેટલી થાય?