ધાતુનું કાર્ય વિધેય $2.3 \ eV$ છે અને આપાત ફોટોનની તરંગલંબાઈ $4.84 \times 10^{-7} \ m$ છે. ફોટો-ઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $eV$ માં કેટલી થાય?

એક પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થ પર,જ્યારે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિમાં $20 \%$ નો વધારો કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $0.4 \ eV$ થી વધીને $0.7 \ eV$ થાય છે. પદાર્થનું વર્ક ફંક્શન કેટલું હશે ($eV$ માં)?

ધાતુની સપાટી પરથી આપાત પ્રકાશની આવૃત્તિ $v_1$ અને $v_2$ $(v_1 > v_2)$ માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન જોવા મળે છે. જો બંને કિસ્સાઓમાં ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જાનો ગુણોત્તર $1:k$ હોય,તો ધાતુની સપાટીની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ કેટલી હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં જો પ્રકાશની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ

જ્યારે પ્રકાશ સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. આ ફોટો-ઈલેક્ટ્રોન માટે નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં,આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ $\lambda$ છે. જો આપાત વિકિરણની તરંગલંબાઈ ઘટાડીને પ્રારંભિક મૂલ્યના $\frac{1}{3}$ કરવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા અગાઉના મૂલ્ય કરતાં $n$ ગણી જોવા મળે છે. તો ધાતુની પ્લેટ માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?