ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરમાં, ધાતુની સપાટીમાંથી ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા શેના પર આધાર રાખે છે?

સોડિયમ અને તાંબાનું કાર્ય વિધેય (work function) અનુક્રમે $2.3 \ eV$ અને $4.5 \ eV$ છે. તેમની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈઓનો ગુણોત્તર આશરે ....... છે.

જ્યારે એક પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થને $3.1 \ eV$ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોન વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $1.7 \ V$ છે. જ્યારે તે જ પ્રકાશસંવેદનશીલ પદાર્થને $2.5 \ eV$ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોન વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ કેટલું હશે ($V$ માં)?

$1.13 eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $310 nm$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ આપાત કરવામાં આવે છે. ફોટોઇલેક્ટ્રોનને ઉત્સર્જિત થતા અટકાવવા માટે જરૂરી રિટાર્ડિંગ પોટેન્શિયલ (સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ) કેટલું હશે ($V$ માં)? [$hc = 1240 eV \cdot nm$ લો]

એક ધાતુની સપાટીને પહેલા $300 \ nm$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ વડે અને ત્યારબાદ $500 \ nm$ તરંગલંબાઈના બીજા પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે. એવું અવલોકન કરવામાં આવે છે કે બંને કિસ્સાઓમાં ફોટોઈલેક્ટ્રોનના મહત્તમ વેગનો ગુણોત્તર $3$ છે. ધાતુનું વર્ક ફંક્શન (કાર્ય વિધેય) આશરે કેટલું હશે ($eV$ માં)?

$8\,eV$ ઉર્જા ધરાવતો એક ફોટોન $1.6 \times 10^{15}\,Hz$ ની થ્રેશોલ્ડ આવૃત્તિ ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા .......... $eV$ છે.
(લો $h = 6.6 \times 10^{-34}\,J\cdot s$; $1\,eV = 1.6 \times 10^{-19}\,J$)