दो समान P-N जंक्शनों को एक बैटरी के साथ तीन त | vedclass

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Question

(B) परिपथ $1$ में,दोनों डायोड विपरीत दिशाओं में जुड़े हैं (एक अग्र अभिनत,एक पश्च अभिनत)। पश्च अभिनत डायोड उच्च प्रतिरोध की तरह कार्य करता है,इसलिए बैट

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परिपथ $2$ और $3$ में

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(B) परिपथ $1$ में,दोनों डायोड विपरीत दिशाओं में जुड़े हैं (एक अग्र अभिनत,एक पश्च अभिनत)। पश्च अभिनत डायोड उच्च प्रतिरोध की तरह कार्य करता है,इसलिए बैटरी का लगभग पूरा वोल्टेज उसी के सिरों पर होता है।परिपथ $2$ में,दोनों डायोड अग्र अभिनत (forward biased) हैं। वे बैटरी वोल्टेज को समान रूप से साझा करते हैं,इसलिए प्रत्येक पर विभवांतर $V/2$ होता है।परिपथ $3$ में,दोनों डायोड पश्च अभिनत (reverse biased) हैं। वे भी बैटरी वोल्टेज को समान रूप से साझा करते हैं,इसलिए प्रत्येक पर विभवांतर $V/2$ होता है।चूंकि परिपथ $2$ और $3$ में प्रत्येक डायोड पर विभवांतर $V/2$ है,इसलिए परिपथ $2$ और $3$ में विभवांतर समान है।

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नीचे दिखाए गए परिपथ में धारा $I$ का मान क्या है? (सभी डायोड आदर्श और समान हैं)

एक फॉरवर्ड बायस्ड $p-n$ जंक्शन डायोड में,डिप्लीशन क्षेत्र में विभव प्राचीर (potential barrier) किस रूप में होगा?

$p-n$ जंक्शन क्षेत्र में अवक्षय परत (depletion layer) किसके कारण बनती है?

सभी डायोड आदर्श हैं। डायोड $D_1$ और $D_2$ के बीच जुड़े $2\,\Omega$ के प्रतिरोधक में प्रवाहित होने वाली धारा है: ($,A$ में)

अवक्षय परत (depletion layer) में विभव प्राचीर (potential barrier) किसके कारण होता है?

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