$400\,nm$ તરંગલંબાઈ અને $1.55\,mW$ પાવર ધરાવતા પ્રકાશના કિરણપુંજને ફોટોઈલેક્ટ્રિક સેલના કેથોડ પર આપાત કરવામાં આવે છે. જો આપાત ફોટોનમાંથી માત્ર $10\%$ ફોટોન અસરકારક રીતે ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરતા હોય,તો આ ઈલેક્ટ્રોનને કારણે મળતો પ્રવાહ $\mu A$ માં શોધો. (આપેલ છે: $hc = 1240\,eV\cdot nm$,$e = 1.6 \times 10^{-19}\,C$)

ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા માત્ર શેના પર આધાર રાખે છે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરમાં,સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_0)$ વિરુદ્ધ આવૃત્તિ $(\nu)$ નો આલેખ દોરવામાં આવે છે. ($h$ એ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $\phi_0$ એ ધાતુનું વર્ક ફંક્શન છે)
$(A)$ $V_0$ વિરુદ્ધ $\nu$ રેખીય છે.
$(B)$ $V_0$ વિરુદ્ધ $\nu$ આલેખનો ઢાળ $= \frac{\phi_0}{h}$ છે.
$(C)$ પ્લાન્કનો અચળાંક $h$ એ $V_0$ વિરુદ્ધ $\nu$ રેખાના ઢાળ સાથે સંબંધિત છે.
$(D)$ $V_0$ વિરુદ્ધ $\nu$ આલેખનો ઉપયોગ કરીને $h$ નક્કી કરવા માટે ઈલેક્ટ્રોનના વિદ્યુતભારના મૂલ્યની જરૂર નથી.
$(E)$ $h$ નું મૂલ્ય જાણ્યા વિના વર્ક ફંક્શનનો અંદાજ લગાવી શકાય છે.
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો:

જો ફોટોસેલથી $0.2 \ m$ અંતરે રાખેલા ઉદ્ગમ દ્વારા ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનો સ્ટોપિંગ વોલ્ટેજ $0.6 \ V$ હોય,તો તે જ ઉદ્ગમને $0.6 \ m$ અંતરે રાખતા ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનનો સ્ટોપિંગ વોલ્ટેજ .......... $V$ થશે.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર (photoelectric effect) માં સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_0)$ વિરુદ્ધ આવૃત્તિ $(\nu)$ નો આલેખ એક સીધી રેખા છે. આ આલેખનો ઢાળ (slope) . . . . . . છે.

તરંગલંબાઈ $\lambda$ ધરાવતો પ્રકાશ $\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે અને ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે? [આપેલ છે: $m=$ ઇલેક્ટ્રોનનું દળ,$h=$ પ્લાન્કનો અચળાંક,$c=$ પ્રકાશનો વેગ]