નીચે બે વિધાનો આપેલા છે: એકને વિધાન $A$ તરીકે અને બીજાને કારણ $R$ તરીકે લેબલ કરવામાં આવ્યું છે.
વિધાન $A:$ ફોટોડાયોડનો ઉપયોગ સામાન્ય રીતે પ્રકાશની તીવ્રતા માપવા માટે ફોરવર્ડ બાયસમાં થાય છે.
કારણ $R:$ $p-n$ જંકશન ડાયોડ માટે, લાગુ કરેલ વોલ્ટેજ $V$ પર, $|V_z| > |V| \geq V_0$ માટે ફોરવર્ડ બાયસમાં પ્રવાહ રિવર્સ બાયસ કરતા વધારે હોય છે, જ્યાં $V_0$ એ થ્રેશોલ્ડ વોલ્ટેજ છે અને $V_z$ એ બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં, નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો.
વિધાન $A:$ ફોટોડાયોડનો ઉપયોગ સામાન્ય રીતે પ્રકાશની તીવ્રતા માપવા માટે ફોરવર્ડ બાયસમાં થાય છે.
કારણ $R:$ $p-n$ જંકશન ડાયોડ માટે, લાગુ કરેલ વોલ્ટેજ $V$ પર, $|V_z| > |V| \geq V_0$ માટે ફોરવર્ડ બાયસમાં પ્રવાહ રિવર્સ બાયસ કરતા વધારે હોય છે, જ્યાં $V_0$ એ થ્રેશોલ્ડ વોલ્ટેજ છે અને $V_z$ એ બ્રેકડાઉન વોલ્ટેજ છે.
ઉપરોક્ત વિધાનોના પ્રકાશમાં, નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો.
- A$A$ અને $R$ બંને સાચા છે અને $R$ એ $A$ ની સાચી સમજૂતી છે.
- B$A$ અને $R$ બંને સાચા છે પરંતુ $R$ એ $A$ ની સાચી સમજૂતી નથી.
- C$A$ ખોટું છે પરંતુ $R$ સાચું છે.
- D$A$ સાચું છે પરંતુ $R$ ખોટું છે.
Explore More
Similar Questions
નીચેના વિધાનો ધ્યાનમાં લો $:$
$A.$ સોલર સેલનો જંકશન વિસ્તાર ફોટોડાયોડની સરખામણીમાં ખૂબ મોટો રાખવામાં આવે છે.
$B.$ સોલર સેલ કોઈ પણ બાહ્ય બાયસ સાથે જોડાયેલા હોતા નથી.
$C.$ $\text{LED}$ એ હેવીલી ડોપ્ડ (વધારે અશુદ્ધિ ઉમેરેલા) $p-n$ જંકશનથી બનેલી હોય છે.
$D.$ ફોરવર્ડ કરંટમાં વધારો થવાથી $\text{LED}$ ની પ્રકાશ તીવ્રતામાં સતત વધારો થાય છે.
$E.$ પ્રકાશના ઉત્સર્જન માટે $\text{LED}$ ને ફોરવર્ડ બાયસમાં જોડવી આવશ્યક છે.
કયા વિધાનો સાચા છે?
$A.$ સોલર સેલનો જંકશન વિસ્તાર ફોટોડાયોડની સરખામણીમાં ખૂબ મોટો રાખવામાં આવે છે.
$B.$ સોલર સેલ કોઈ પણ બાહ્ય બાયસ સાથે જોડાયેલા હોતા નથી.
$C.$ $\text{LED}$ એ હેવીલી ડોપ્ડ (વધારે અશુદ્ધિ ઉમેરેલા) $p-n$ જંકશનથી બનેલી હોય છે.
$D.$ ફોરવર્ડ કરંટમાં વધારો થવાથી $\text{LED}$ ની પ્રકાશ તીવ્રતામાં સતત વધારો થાય છે.
$E.$ પ્રકાશના ઉત્સર્જન માટે $\text{LED}$ ને ફોરવર્ડ બાયસમાં જોડવી આવશ્યક છે.
કયા વિધાનો સાચા છે?
$LED$ દ્રશ્યમાન પ્રકાશના વિસ્તારમાં પ્રકાશ ઉત્સર્જિત કરી શકે તે માટે,તેનો એનર્જી બેન્ડ ગેપ કઈ રેન્જમાં હોવો જોઈએ?
$3 \ eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા સેમિકન્ડક્ટર મટિરિયલનો ઉપયોગ કરીને એક $CCD$ કેમેરા બનાવવામાં આવે છે. તે જે પ્રકાશની તરંગલંબાઇ શોધી શકે છે તે આશરે કેટલી છે ($nm$ માં)?
એક એવી પરિસ્થિતિનો વિચાર કરો જેમાં કોઈ ચોક્કસ $P-N$ જંકશનનો રિવર્સ બાયસ પ્રવાહ વધે છે જ્યારે તેને $\lambda \le 621 \, nm$ તરંગલંબાઇના પ્રકાશમાં રાખવામાં આવે છે. આ પ્રક્રિયા દરમિયાન,હોલ-ઇલેક્ટ્રોન જોડીઓના નિર્માણને કારણે કેરિયર સાંદ્રતામાં વધારો થાય છે. બેન્ડ ગેપનું મૂલ્ય આશરે કેટલું હશે? ($eV$ માં)
$2.5 eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા સેમિકન્ડક્ટરથી $p-n$ જંકશન ફોટોડાયોડ બનાવવામાં આવે છે. તે કેટલી તરંગલંબાઇનો સિગ્નલ શોધી શકે છે? (આપેલ છે: પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.6 \times 10^{-34} Js$,પ્રકાશની ગતિ $c = 3 \times 10^8 m/s$,પ્રાથમિક વિદ્યુતભાર $e = 1.6 \times 10^{-19} C$)
Vedclass Products
For Students
Vedclass Test Series
Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.
Start Free TrialFor Teachers
Exam Paper Generator
Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.
Try FreeFor Institutes
Online Exam Module
Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.
See Demo