$3 \ eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા સેમિકન્ડક્ટર મટિરિયલનો ઉપયોગ કરીને એક $CCD$ કેમેરા બનાવવામાં આવે છે. તે જે પ્રકાશની તરંગલંબાઇ શોધી શકે છે તે આશરે કેટલી છે ($nm$ માં)?

સોલર સેલની રચના, કાર્યપદ્ધતિ અને ઉપયોગનું વર્ણન કરો.

ફોટોડાયોડની સાંકેતિક રજૂઆત કઈ છે?

$GaAsP$ નો ઉપયોગ કરીને $p-n$ જંકશન ડાયોડમાંથી $LED$ બનાવવામાં આવે છે. એનર્જી ગેપ $1.9\; eV$ છે. ઉત્સર્જિત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ કેટલી હશે?

દ્રશ્યમાન LEDs ના નિર્માણ માટે વપરાતા સેમિકન્ડક્ટરનો બેન્ડ ગેપ ઓછામાં ઓછો કેટલો હોવો જોઈએ ($eV$ માં)?

વિધાન: $P-N$ જંકશન ડાયોડનો ઉપયોગ પ્રકાશની તીવ્રતા માપવા માટે રિવર્સ બાયસમાં કરવામાં આવે છે.
કારણ: રિવર્સ બાયસ સ્થિતિમાં,પ્રવાહ ઓછો હોય છે પરંતુ તે આપાત પ્રકાશની તીવ્રતામાં થતા ફેરફારો પ્રત્યે વધુ સંવેદનશીલ હોય છે.