બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $d$ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરમાં $\frac{3}{4} d$ જાડાઈ અને $K$ ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતો સ્લેબ મૂકવામાં આવે છે તો નવો કેપેસીટન્સ $(C')$ અને જૂના કેપેસીટન્સ $\left( C _{0}\right)$ વચ્ચેનો સંબંધ શું થશે?
બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $d$ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરમાં $\frac{3}{4} d$ જાડાઈ અને $K$ ડાઈઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતો સ્લેબ મૂકવામાં આવે છે તો નવો કેપેસીટન્સ $(C')$ અને જૂના કેપેસીટન્સ $\left( C _{0}\right)$ વચ્ચેનો સંબંધ શું થશે?
- [JEE MAIN 2021]
- A
$C ^{\prime}=\frac{3+ K }{4 K } C _{0}$
- B
$C ^{\prime}=\frac{4+ K }{3} C _{0}$
- C
$C ^{\prime}=\frac{4 K }{ K +3} C _{0}$
- D
$C ^{\prime}=\frac{4}{3+ K } C _{0}$
Similar Questions
સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરના કેપેસિટન્સ પર ડાઇઇલેક્ટ્રિકની અસર સમજાવો અને ડાઇઇલેક્ટ્રિક અચળાંકનું સૂત્ર લખો.
સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરના કેપેસિટન્સ પર ડાઇઇલેક્ટ્રિકની અસર સમજાવો અને ડાઇઇલેક્ટ્રિક અચળાંકનું સૂત્ર લખો.
પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $A$ અને બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $d$ ધરાવતા કેેપેસિટરને $V$ વોલ્ટ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે.હવે બેટરી દૂર કરીને કેપેસિટરને $k$ ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંકથી ભરી દેવામાં આવે છે. $Q$ , $E$ અને $W$ એ પ્લેટ પરનો વિદ્યુતભાર,બે પ્લેટ વચ્ચેનું વિદ્યુતક્ષેત્ર અને ડાઇઇલેકિટ્રક દાખલ કરવા માટે કરવું પડતું કાર્ય છે.તો નીચેનામાથી કયું ખોટું થાય?
પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ $A$ અને બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $d$ ધરાવતા કેેપેસિટરને $V$ વોલ્ટ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે.હવે બેટરી દૂર કરીને કેપેસિટરને $k$ ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંકથી ભરી દેવામાં આવે છે. $Q$ , $E$ અને $W$ એ પ્લેટ પરનો વિદ્યુતભાર,બે પ્લેટ વચ્ચેનું વિદ્યુતક્ષેત્ર અને ડાઇઇલેકિટ્રક દાખલ કરવા માટે કરવું પડતું કાર્ય છે.તો નીચેનામાથી કયું ખોટું થાય?
- [IIT 1991]
ધ્રુવીભવન એટલે શું?
ધ્રુવીભવન એટલે શું?
$K$ જેટલો ડાઈઈલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાઈઈલેક્ટ્રીક ને એક $q$ જેટલો ચાર્જ ધરાવતા કેપેસીટરની બે પ્લેટો વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે. બે પ્લેટો વચ્ચે ઉત્પન્ન થયેલો પ્રેરિત ચાર્જ $q^{\prime}$ કયા સુત્રથી મળે?
$K$ જેટલો ડાઈઈલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા ડાઈઈલેક્ટ્રીક ને એક $q$ જેટલો ચાર્જ ધરાવતા કેપેસીટરની બે પ્લેટો વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે. બે પ્લેટો વચ્ચે ઉત્પન્ન થયેલો પ્રેરિત ચાર્જ $q^{\prime}$ કયા સુત્રથી મળે?
ડાયઈલેક્ટ્રીક અચળાંક $3$ અને ડાયઈલેક્ટ્રીક સ્ટ્રેન્થ લગભગ $10 \,V \,m$ ધરાવતા દ્રવ્યની મદદથી $1 \,k\,V$ રેટીંગ ધરાવતા એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની રચના કરવાની છે. [ડાયઇલેક્ટ્રીક સ્ટ્રેન્થ એ દ્રવ્ય દ્વારા બ્રેકડાઉન પામ્યા વિના (આંશિક આયનીકરણ દ્વારા વિદ્યુતનું વહન શરૂ થયા વિના) સહન કરી શકાતું મહત્તમ વિદ્યુતક્ષેત્ર છે.] સલામતી માટે ડાયઇલેક્ટ્રીક સ્ટ્રેન્થના $10 \%$ કરતાં ક્ષેત્ર કદી વધે નહિ તે ઇચ્છનીય છે. $50 \,pF$ નું કેપેસીટન્સ મેળવવા માટે પ્લેટોનું લઘુત્તમ ક્ષેત્રફળ કેટલું હોવું જરૂરી છે?
ડાયઈલેક્ટ્રીક અચળાંક $3$ અને ડાયઈલેક્ટ્રીક સ્ટ્રેન્થ લગભગ $10 \,V \,m$ ધરાવતા દ્રવ્યની મદદથી $1 \,k\,V$ રેટીંગ ધરાવતા એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની રચના કરવાની છે. [ડાયઇલેક્ટ્રીક સ્ટ્રેન્થ એ દ્રવ્ય દ્વારા બ્રેકડાઉન પામ્યા વિના (આંશિક આયનીકરણ દ્વારા વિદ્યુતનું વહન શરૂ થયા વિના) સહન કરી શકાતું મહત્તમ વિદ્યુતક્ષેત્ર છે.] સલામતી માટે ડાયઇલેક્ટ્રીક સ્ટ્રેન્થના $10 \%$ કરતાં ક્ષેત્ર કદી વધે નહિ તે ઇચ્છનીય છે. $50 \,pF$ નું કેપેસીટન્સ મેળવવા માટે પ્લેટોનું લઘુત્તમ ક્ષેત્રફળ કેટલું હોવું જરૂરી છે?