$6.6 \text{eV}$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ માટે, આપાત વિકિરણની નીચેનામાંથી કઈ તરંગલંબાઇ ફોટોઇલેક્ટ્રિક અસર ઉત્પન્ન કરતી નથી ($\text{nm}$ માં)? (પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.6 \times 10^{-34} \text{J s}$ અને પ્રકાશની ગતિ $c = 3 \times 10^8 \text{m/s}$ લો)

$hf$ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોન જ્યારે એલ્યુમિનિયમ પ્લેટ (જેનું કાર્ય વિધેય $E_0$ છે) પર આપાત થાય છે,ત્યારે મહત્તમ ગતિઊર્જા $K$ ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો વિકિરણની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી થશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ઉર્જા કયા પરિબળો પર આધાર રાખે છે?

એક જગ્યાએ પ્રકાશનું સમીકરણ $\varepsilon = (100 \text{ V/m}) [\sin(5 \times 10^{15} \text{ s}^{-1})t + \sin(8 \times 10^{15} \text{ s}^{-1})t]$ દ્વારા દર્શાવવામાં આવે છે, જે $2 \text{ eV}$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર પડે છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $\text{eV}$ માં ગણો.

$4 \ eV$ વર્કફંકશન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર $6 \ eV$ ઊર્જા ધરાવતો ફોટોન આપાત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ઉત્સર્જાતા ફોટોઇલેક્ટ્રૉનની લઘુતમ ગતિઊર્જા ......... $eV$ છે.

$V_0 - \nu$ આલેખનો ઢાળ શું છે? તેનું સમીકરણ લખો. વળી,તે દ્રવ્યના પ્રકાર પર આધાર રાખે છે કે નહીં તે જણાવો.