$hf$ ઊર્જા ધરાવતા ફોટોન જ્યારે એલ્યુમિનિયમ પ્લેટ (જેનું કાર્ય વિધેય $E_0$ છે) પર આપાત થાય છે,ત્યારે મહત્તમ ગતિઊર્જા $K$ ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્સર્જિત થાય છે. જો વિકિરણની આવૃત્તિ બમણી કરવામાં આવે,તો ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા કેટલી થશે?

જ્યારે ધાતુની સપાટીને $\lambda$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $x \ V$ છે. જ્યારે તે જ સપાટીને $2 \lambda$ તરંગલંબાઈના પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $\frac{x}{3} \ V$ છે. ધાતુની સપાટી માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ .......... છે.

એક ધાતુની સપાટી પર $4500 \; \mathring A$ તરંગલંબાઈ ધરાવતું વિકિરણ આપાત કરવામાં આવે છે. ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોન $2 \; mT$ ના અચળ ચુંબકીય ક્ષેત્રમાં $90^{\circ}$ ના ખૂણે દાખલ થાય છે. જો તે $2 \; mm$ ત્રિજ્યાના વર્તુળાકાર માર્ગમાં ગતિ કરવાનું શરૂ કરે,તો ધાતુનું કાર્ય વિધેય આશરે ............. $eV$ હશે.

જ્યારે પ્રકાશ ધાતુની સપાટી પર પડે છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટો-ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિ ઊર્જા શેના પર આધાર રાખે છે?

$4.0 \ eV$ નું વર્ક ફંકશન ધરાવતી ધાતુ માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઇ $nm$ માં કેટલી થાય?

ચોક્કસ ધાતુમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટે કટ-ઓફ આવૃત્તિ $\nu$ છે. જો $\nu$ આવૃત્તિવાળું વિકિરણ ધાતુની પ્લેટ પર આપાત થાય,તો ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ શક્ય વેગ કેટલો હશે? ($m$ એ ઈલેક્ટ્રોનનું દળ છે)