यदि एक p-n जंक्शन डायोड फॉरवर्ड बायस में है,त | vedclass

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Question

(D) जब एक $p-n$ जंक्शन डायोड फॉरवर्ड बायस में होता है,तो बैटरी का धनात्मक टर्मिनल $p$-क्षेत्र से और ऋणात्मक टर्मिनल $n$-क्षेत्र से जुड़ा होता है।यह बा

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अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई घटती है

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(D) जब एक $p-n$ जंक्शन डायोड फॉरवर्ड बायस में होता है,तो बैटरी का धनात्मक टर्मिनल $p$-क्षेत्र से और ऋणात्मक टर्मिनल $n$-क्षेत्र से जुड़ा होता है।यह बाहरी विद्युत क्षेत्र आंतरिक बैरियर विद्युत क्षेत्र का विरोध करता है।परिणामस्वरूप,बहुसंख्यक आवेश वाहक (majority charge carriers) जंक्शन की ओर धकेले जाते हैं,जिससे अवक्षय परत (depletion layer) की चौड़ाई कम हो जाती है।इसलिए,बैरियर विभव (barrier potential) कम हो जाता है,जिससे डायोड के माध्यम से विद्युत धारा आसानी से प्रवाहित हो सकती है।

यदि एक $p-n$ जंक्शन डायोड फॉरवर्ड बायस में है,तो:

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निम्नलिखित आकृति में,कौन से डायोड फॉरवर्ड बायस में हैं?

थ्रेशोल्ड वोल्टेज क्या है? $Ge$ और $Si$ के लिए थ्रेशोल्ड वोल्टेज का मान लिखिए।

$P-N$ जंक्शन में,बैरियर विभव (barrier potential) किसके लिए प्रतिरोध उत्पन्न करता है?

$p-n$ जंक्शन में उत्पन्न होने वाले विद्युत क्षेत्र की दिशा दर्शाइए।

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