નીચેના માટે ઇલેક્ટ્રોન બિંદુ નિરૂપણ (electron dot structures) દોરો:
$(a)$ ઇથેનોઇક એસિડ
$(b)$ $H_2S$

(N/A) ઇથેનોઇક એસિડ $(CH_3COOH)$ નું ઇલેક્ટ્રોન બિંદુ નિરૂપણ કાર્બન,હાઇડ્રોજન અને ઓક્સિજન પરમાણુઓ વચ્ચે ઇલેક્ટ્રોનની ભાગીદારી દ્વારા તેમના અષ્ટક/દ્વિક પૂર્ણ કરવા પર આધારિત છે.
(બંધારણીય નિરૂપણ માટે આપેલી આકૃતિ જુઓ).
$(b)$ હાઇડ્રોજન સલ્ફાઇડ $(H_2S)$ નું ઇલેક્ટ્રોન બિંદુ નિરૂપણ સલ્ફર પરમાણુ દ્વારા બે હાઇડ્રોજન પરમાણુઓ સાથે એક-એક ઇલેક્ટ્રોનની ભાગીદારી કરીને બે સહસંયોજક બંધ બનાવવાની પ્રક્રિયા છે,જેનાથી સલ્ફરનું અષ્ટક અને હાઇડ્રોજનનું દ્વિક પૂર્ણ થાય છે.
(બંધારણીય નિરૂપણ માટે આપેલી આકૃતિ જુઓ).