એક અર્ધવાહકને વિદ્યુત ક્ષેત્રમાં મૂકવામાં આવે છે. ધારો કે વિદ્યુતભાર વાહકોની સંખ્યા ઘનતા $n$ છે અને સરેરાશ ડ્રિફ્ટ વેગ $v$ છે. જો તાપમાન વધારવામાં આવે,તો:

શુદ્ધ સિલિકોનમાં $T = 300 \ K$ તાપમાને ઈલેક્ટ્રોન-હોલ સાંદ્રતા $7 \times 10^{15} \ m^{-3}$ છે. એન્ટિમનીને સિલિકોનમાં $10^7 \ Si$ પરમાણુ દીઠ $1$ પરમાણુના દરે અશુદ્ધિ તરીકે ઉમેરવામાં આવે છે. ધારો કે અડધા અશુદ્ધિ પરમાણુઓ તેમના ઈલેક્ટ્રોન કન્ડકશન બેન્ડમાં આપે છે. ભાર વાહકોની સંખ્યામાં થતો વધારો દર્શાવતો ઘટક શોધો. આપેલ છે: સિલિકોન પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા $5 \times 10^{28} \ m^{-3}$ છે.

ઓરડાના તાપમાને શુદ્ધ જર્મેનિયમમાં ઇલેક્ટ્રોન-હોલ જોડીની ઘનતા $3 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. એલ્યુમિનિયમ સાથે ડોપિંગ કરવા પર,હોલની ઘનતા વધીને $4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય છે. હવે,ડોપ્ડ જર્મેનિયમમાં ઇલેક્ટ્રોન ઘનતા ($m^{-3}$ માં) કેટલી હશે?

સેમિકન્ડક્ટરમાં હોલ (hole) ની વિભાવના સમજાવો.

જો $N_A$ એ ઉમેરવામાં આવેલા એક્સેપ્ટર પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા હોય અને $N_D$ એ સેમિકન્ડક્ટરમાં ઉમેરવામાં આવેલા ડોનર પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા હોય,અને $n_e$ તથા $n_h$ એ તેમાં રહેલા ઈલેક્ટ્રોન અને હોલની સંખ્યા ઘનતા હોય,તો:

જર્મેનિયમના નમૂનામાં,અશુદ્ધિ તરીકે ગેલિયમના નિશાન ઉમેરવામાં આવે છે. પરિણામી નમૂનો કેવો વ્યવહાર કરશે?