જર્મેનિયમમાં ઇન્ડિયમની અશુદ્ધિ ઉમેરવાથી શું બને છે?

$1\,cm^{2}$ ક્ષેત્રફળ અને $0.5\,mm$ જાડાઈ ધરાવતી $Ge$ ક્રિસ્ટલ પ્લેટની વિરુદ્ધ બાજુઓ વચ્ચે $2\,V$ નો વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત લાગુ કરવામાં આવે છે. જો $Ge$ માં ઇલેક્ટ્રોનની સાંદ્રતા $2 \times 10^{19}/m^{3}$ હોય અને ઇલેક્ટ્રોન તથા હોલની મોબિલિટી અનુક્રમે $0.36\,m^{2}/(V\cdot s)$ અને $0.14\,m^{2}/(V\cdot s)$ હોય,તો પ્લેટમાંથી વહેતો પ્રવાહ કેટલો હશે ($,A$ માં)?

સિલિકોન સ્ફટિકમાં ફોરબિડન ગેપની પહોળાઈ $1.1 \, eV$ છે. જ્યારે સ્ફટિકને $N$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં રૂપાંતરિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ફર્મી લેવલનું કન્ડક્શન બેન્ડથી અંતર કેટલું હોય છે?

અર્ધવાહકો સામાન્ય રીતે કેવા હોય છે?

જર્મેનિયમ સ્ફટિકને $P-$પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટરમાં રૂપાંતરિત કરવા માટે ઉમેરવામાં આવતી અશુદ્ધિની સંયોજકતા કેટલી હોય છે?

નીચે દર્શાવેલ પદાર્થના એનર્જી બેન્ડ ડાયાગ્રામમાં,ખુલ્લા વર્તુળો અને ભરેલા વર્તુળો અનુક્રમે હોલ અને ઇલેક્ટ્રોન દર્શાવે છે. આ પદાર્થ કયો છે?