એક $LED$ ને $pn$ જંકશનમાંથી બનાવવામાં આવે છે જે એક ચોક્કસ અર્ધવાહક પદાર્થ પર આધારિત છે,જેની એનર્જી ગેપ $1.9 \ eV$ છે. તો ઉત્સર્જિત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ કેટલી હશે?

ઇન્ફ્રારેડ $LED$ ના ઉત્પાદનમાં વપરાતી સામગ્રી કઈ છે?

$LED$ ની મહત્તમ રેટ કરેલ પાવર $2 \text{ mW}$ છે અને તે નીચેની આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ $5 \text{ V}$ ના ઇનપુટ વોલ્ટેજ સાથે સર્કિટમાં વપરાય છે. અવરોધ $R$ માંથી વહેતો પ્રવાહ $0.5 \text{ mA}$ છે. $LED$ ને નુકસાન ન થાય તે સુનિશ્ચિત કરવા માટે અવરોધ $R_S$ નું લઘુત્તમ મૂલ્ય . . . . . . $\text{k}\Omega$ છે.

લાઇટ એમિટિંગ ડાયોડ $(LED)$ ની યોજનાકીય સંજ્ઞા કઈ છે?

દ્રશ્યમાન LEDs ના નિર્માણ માટે વપરાતા સેમિકન્ડક્ટરનો બેન્ડ ગેપ ઓછામાં ઓછો કેટલો હોવો જોઈએ ($eV$ માં)?

$3 \ eV$ ના બેન્ડ ગેપ ધરાવતા સેમિકન્ડક્ટર મટિરિયલનો ઉપયોગ કરીને એક $CCD$ કેમેરા બનાવવામાં આવે છે. તે જે પ્રકાશની તરંગલંબાઇ શોધી શકે છે તે આશરે કેટલી છે ($nm$ માં)?