$p-n$ जंक्शन डायोड का बैरियर विभव किस पर निर्भर नहीं करता है?

निम्नलिखित परिपथ में,$A$ और $B$ के बीच तुल्य प्रतिरोध क्या है?

जब $P-N$ जंक्शन फॉरवर्ड बायस में होता है,तो डिप्लीशन क्षेत्र और विभव प्राचीर (potential barrier) पर क्या प्रभाव पड़ता है?

निम्नलिखित वाक्यों में से कौन सा कथन गलत है? एक उपकरण जिसमें $P$ और $N$-प्रकार के अर्धचालकों का उपयोग किया जाता है,वह वैक्यूम ट्यूब की तुलना में अधिक उपयोगी है क्योंकि:

एक डायोड का धारा-वोल्टेज संबंध $I = (e^{1000V/T} - 1) \; mA$ द्वारा दिया गया है,जहाँ प्रयुक्त वोल्टेज $V$ वोल्ट में है और तापमान $T$ केल्विन में है। यदि कोई छात्र $300 \; K$ पर $5 \; mA$ की धारा मापते समय वोल्टेज मापने में $\pm 0.01 \; V$ की त्रुटि करता है,तो धारा के मान में $mA$ में कितनी त्रुटि होगी?

अनबायस्ड $PN$ जंक्शन के डिप्लेशन ज़ोन (depletion zone) के संबंध में निम्नलिखित में से कौन सा/से कथन सत्य है/हैं?