$PN$ जंक्शन डायोड में एवालांच ब्रेकडाउन किसके कारण होता है?

$p-n$ जंक्शन का बैरियर विभव (barrier potential) निम्नलिखित में से किस पर निर्भर करता है:
$(1)$ अर्धचालक पदार्थ का प्रकार
$(2)$ डोपिंग की मात्रा
$(3)$ तापमान
निम्नलिखित में से कौन सा सही है?

$p-n$ जंक्शन डायोड में बैरियर विभव (barrier potential) और अवक्षय क्षेत्र (depletion region) की व्याख्या कीजिए।

दिए गए परिपथ में एक $12 \, V$ की बैटरी,एक $4 \, \Omega$ का प्रतिरोधक और समानांतर में दो शाखाएं हैं,जिनमें से प्रत्येक में एक आदर्श डायोड और एक प्रतिरोधक है। शाखा $1$ में डायोड $D_1$ और $3 \, \Omega$ का प्रतिरोधक है,जबकि शाखा $2$ में डायोड $D_2$ और $2 \, \Omega$ का प्रतिरोधक है। परिपथ में प्रवाहित होने वाली धारा ज्ञात कीजिए। ($, A$ में)

यदि नीचे दिखाए गए परिपथ में प्रत्येक डायोड का अग्र अभिनत (forward bias) प्रतिरोध $25\,\Omega$ है,तो निम्नलिखित में से कौन सा विकल्प सही है?

सभी डायोड आदर्श हैं। डायोड $D_1$ और $D_2$ के बीच जुड़े $2\,\Omega$ के प्रतिरोधक में प्रवाहित होने वाली धारा है: ($,A$ में)