यह मानते हुए कि जंक्शन डायोड आदर्श है, चित्र में दिखाए गए विन्यास में धारा ज्ञात कीजिए। ($\text{mA}$ में)

चित्र में दिखाए अनुसार एक $2 \ V$ की सेल को बिंदुओं $A$ और $B$ के बीच जोड़ा गया है। मान लीजिए कि प्रत्येक डायोड का प्रतिरोध फॉरवर्ड बायस में शून्य और रिवर्स बायस में अनंत है। सेल द्वारा आपूर्ति की गई धारा है ($A$ में)

$P-N$ जंक्शन में डिप्लेशन लेयर (depletion layer) बनने का कारण क्या है?

एक अर्धचालक $p-n$ डायोड में,$p$-पक्ष और $n$-पक्ष पर डोपिंग सांद्रता क्रमशः $10^{15} \text{ atoms/cm}^3$ और $10^{18} \text{ atoms/cm}^3$ है। निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य है?

निम्नलिखित परिपथ में $PN$-जंक्शन डायोड $D_1, D_2$ और $D_3$ आदर्श हैं। $A$ और $B$ के निम्नलिखित विभवों के लिए,$A$ और $B$ के बीच प्रतिरोध का सही बढ़ता क्रम क्या होगा?
$(i) V_A = -10\,V, V_B = -5\,V$
$(ii) V_A = -4\,V, V_B = -12\,V$

नीचे दो कथन दिए गए हैं:
$A$. जब एक $p-n$ जंक्शन डायोड पर फॉरवर्ड बायस वोल्टेज एक निश्चित थ्रेशोल्ड वोल्टेज से ऊपर बढ़ता है,तो डायोड करंट काफी बढ़ जाता है।
$B$. इस करंट को रिवर्स सैचुरेशन करंट कहा जाता है।
नीचे दिए गए विकल्पों में से सही उत्तर चुनें: