P-N जंक्शन में डिप्लेशन लेयर (depletion layer | vedclass

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Question

(B) जब एक $P-N$ जंक्शन बनता है,तो $P$ और $N$ क्षेत्रों के बीच चार्ज कैरियर्स की सांद्रता में अंतर के कारण इलेक्ट्रॉन $N$-क्षेत्र से $P$-क्षेत्र की ओर

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चार्ज कैरियर्स के डिफ्यूजन के कारण

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(B) जब एक $P-N$ जंक्शन बनता है,तो $P$ और $N$ क्षेत्रों के बीच चार्ज कैरियर्स की सांद्रता में अंतर के कारण इलेक्ट्रॉन $N$-क्षेत्र से $P$-क्षेत्र की ओर और होल $P$-क्षेत्र से $N$-क्षेत्र की ओर डिफ्यूज होते हैं।जैसे ही ये चार्ज कैरियर्स जंक्शन को पार करते हैं,वे इंटरफेस के पास पुनर्संयोजन (recombination) करते हैं।यह पुनर्संयोजन अचल आयनित अशुद्धि परमाणुओं ($P$-पक्ष पर ऋण आयन और $N$-पक्ष पर धन आयन) को पीछे छोड़ देता है।ये अचल आयन एक विद्युत क्षेत्र बनाते हैं जो आगे के डिफ्यूजन का विरोध करता है,जिसके परिणामस्वरूप एक ऐसा क्षेत्र बनता है जिसमें मोबाइल चार्ज कैरियर्स नहीं होते हैं,जिसे डिप्लेशन लेयर कहा जाता है।अतः,डिप्लेशन क्षेत्र मुख्य रूप से चार्ज कैरियर्स के डिफ्यूजन के कारण बनता है।

$P-N$ जंक्शन में डिप्लेशन लेयर (depletion layer) बनने का कारण क्या है?

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