$1.6 \times 10^7 \ m/s$ ના વેગથી ગતિ કરતા ઇલેક્ટ્રોનની તરંગલંબાઈ $0.4 \ \mathring{A}$ છે. ઇલેક્ટ્રોનની ગતિ માટે જરૂરી પ્રવેગક વોલ્ટેજ કેટલો હશે? (ઇલેક્ટ્રોન પરનો વીજભાર $= 1.6 \times 10^{-19} \ C$,ઇલેક્ટ્રોનનું દળ $= 9 \times 10^{-31} \ kg$)

નિકલનું વર્ક ફંક્શન $5 \text{ eV}$ છે. જ્યારે $2000 \text{ Å}$ તરંગલંબાઇનો પ્રકાશ તેના પર પડે છે,ત્યારે તે ફોટોઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન કરે છે. સૌથી ઝડપી ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનને રોકવા માટે જરૂરી પોટેન્શિયલ તફાવત કેટલો હશે ($\text{ V}$ માં)? (આપેલ છે: $h = 6.67 \times 10^{-34} \text{ J-s}$)

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર માટેનું આઈન્સ્ટાઈનનું સમીકરણ $E_k = hf - \phi_0$ છે. આ સમીકરણમાં $E_k$ ........... દર્શાવે છે.

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં,$f$ એ ધાતુની સપાટી પર આપાત થતા વિકિરણોની આવૃત્તિ છે અને $I$ એ આપાત વિકિરણોની તીવ્રતા છે. નીચેના વિધાનો ધ્યાનમાં લો. કયા વિધાનો સાચા છે?
$(A)$ જો $I$ અને વર્ક ફંક્શન અચળ રાખીને $f$ વધારવામાં આવે,તો ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા વધે છે.
$(B)$ જો કેથોડ અને એનોડ વચ્ચેનું અંતર વધારવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ વધે છે.
$(C)$ જો $f$ અને વર્ક ફંક્શન અચળ રાખીને $I$ વધારવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ સમાન રહે છે અને સેચ્યુરેશન કરંટ વધે છે.
$(D)$ જો $f$ અને $I$ અચળ રાખીને વર્ક ફંક્શન ઘટાડવામાં આવે,તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ વધે છે.

જ્યારે આપાત પ્રકાશની તરંગલંબાઈ $500 \,nm$ થી બદલીને બીજી તરંગલંબાઈ કરવામાં આવે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જામાં $0.52 eV$ નો વધારો થાય છે. નવી તરંગલંબાઈ આશરે કેટલી હશે ($\,nm$ માં)?

$2 \text{ eV}$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુ પર આપાત થતો ફોટોન $2 \text{ eV}$ ની મહત્તમ ગતિઊર્જા ધરાવતા ફોટોઈલેક્ટ્રોન ઉત્પન્ન કરે છે। ફોટોન સાથે સંકળાયેલ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે ($\text{ Å}$ માં)?