ઇલેક્ટ્રોન ચુંબકીયક્ષેત્રમાં પ્રવેશે છે જેની દિશા ઇલેક્ટ્રોનના વેગને લંબ છે. તો ... 

$R$ ત્રિજ્યા ધરાવતા લાંબા સોલેનોઈડની અંદર અક્ષ પર એક ઇલેક્ટ્રોન ગન મૂકવામાં આવેલ છે. સોલેનોઈડમાં એકમ લંબાઈ દીઠ આંટાની સંખ્યા $n$ અને વહેતો પ્રવાહ $I$ છે.ઇલેક્ટ્રોન ગન સોલેનોઈડમાં ત્રિજયવર્તી દિશામાં   $v$ વેગથી ઇલેક્ટ્રોન છોડે છે. જો ઇલેક્ટ્રોન સોલેનોઈડની સપાટી પર પહોચે નહીં તે માટે તેનો મહત્તમ વેગ $v$ કેટલો હોવો જોઈએ?

સમાન વિદ્યુતઘનતા $\sigma $ ધરાવતા એક વીજભારીત સમાંતર પ્લેટ્‍સ કેપેસિટરની અંદર એક ઇલેકટ્રોન સીધો ગતિ કરે છે,પ્લેટ્‍સ વચ્ચેની જગ્યા આકૃતિમાં બતાવ્યા મુજબ $B $ તીવ્રતાનું સમાન ચુંબકીયક્ષેત્રથી ભરવામાં આવેલ છે.ગુરુત્વાકર્ષણની અસર અવગણતા, કેપેસિટરમાં આ ઇલેકટ્રોનની સુરેખ પંથ પર ગતિનો સમય કેટલો હશે?

$e$ વિદ્યુતભાર ધરાવતો ઈલેક્ટ્રોન  $v$ વેગ સાથે ધન $x$-દિશામાં ગતિ કરે છે. ચુંબકીય ક્ષેત્ર તેના પર ધન $y$ દિશામાં લાગુ છે.ઈલેક્ટ્રોન પર બળ કઈ દિશામાં કાર્ય કરે છે ? (જ્યાં બહાર તરફની દિશા, ધન $Z-$અક્ષ તરીકે લેવામાં આવી છે)

આકૃતિમાં દર્શાવ્યા પ્રમાણે અતિ લાંબા સુરેખ વાહક તારમાં $I$ જેટલો વિદ્યુતપ્રવાહ વહે છે. કોઈ એક ક્ષણે $P$ બિંદુ પાસે $+q$ વિદ્યુતભારનો વેગ $\vec v$ ધન $X$ દિશામાં છે, તો વિદ્યુતભાર પર લાગતું બળ કઈ દિશામાં હશે?

એક ઇલેક્ટ્રોન વેગ એક સમાન ચુંબકીય ક્ષેત્ર $\vec{B}=B_0 \hat{i}+2 B_0 \hat{j} T$ માંથી પસાર થઈ રહ્યો છે. કોઈ પણ તાક્ષણિક સમય પર ઇલેક્ટ્રોનનો વેગ  $\overrightarrow{\mathrm{u}}=3 \hat{\mathrm{i}}+5 \hat{\mathrm{j}} \mathrm{m} / \mathrm{s}$ અને ઈલેકટ્રોન પર લાગતું બળ $\vec{F}=5 e\hat kN$ છે. જ્યા e ઈલેકટ્રોન પરનો વિદ્યુતભાર છે. તો $B_0$ નું મૂલ્ય .......... $T$