ઇલેક્ટ્રોન રચના: તે બે હાઇડ્રોજન પરમાણુઓ $(1s^1)$ ના સંયોજનથી બને છે. $H_2$ અણુમાં કુલ ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા $2$ છે.
$H_2$ અણુમાં આણ્વીય કક્ષકો $\sigma_{1s}$ અને $\sigma_{1s}^*$ છે.
તેથી,$H_2$ અણુની ઇલેક્ટ્રોન રચના $(\sigma_{1s})^2 (\sigma_{1s}^*)^0$ છે.
બંધક્રમાંક: બંધકારક આણ્વીય કક્ષક $(BMO)$ $\sigma_{1s}$ માં ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા $= 2$ અને પ્રતિકારક આણ્વીય કક્ષક $(ABMO)$ $\sigma_{1s}^*$ માં ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા $= 0$ છે.
તેથી,બંધક્રમાંક $= \frac{N_b - N_a}{2} = \frac{2 - 0}{2} = 1$.
આનો અર્થ એ છે કે બે $H$ પરમાણુઓ એકલ સહસંયોજક બંધ દ્વારા જોડાયેલા છે.
ચુંબકીય ગુણધર્મ: $H_2$ અણુમાં કોઈ અયુગ્મિત ઇલેક્ટ્રોન હાજર નથી અને બધા ઇલેક્ટ્રોન યુગ્મિત છે. તેથી,$H_2$ અણુ પ્રતિચુંબકીય (diamagnetic) છે.