$P-N$ जंक्शन पर $0.50 \ V$ का विभव प्राचीर (potential barrier) मौजूद है। यदि अवक्षय परत (depletion region) की चौड़ाई $5.0 \times 10^{-7} \ m$ है,तो इस क्षेत्र में विद्युत क्षेत्र की तीव्रता क्या होगी?

निम्नलिखित तालिका एक दिए गए डायोड के लिए प्राप्त $V$ और $I$ के मानों का सेट प्रदान करती है। मान लीजिए कि विशेषताएँ लगभग रैखिक हैं। इस सीमा में,दिए गए डायोड का फॉरवर्ड और रिवर्स बायस प्रतिरोध क्रमशः क्या है?

स्थिति	$V$	$I$
फॉरवर्ड बायसिंग	$2.0 \, V$	$60 \, mA$
फॉरवर्ड बायसिंग	$2.4 \, V$	$80 \, mA$
रिवर्स बायसिंग	$0 \, V$	$0 \, \mu A$
रिवर्स बायसिंग	$-2 \, V$	$-0.25 \, \mu A$

जब एक $p-n$ डायोड रिवर्स बायस में होता है,तब

एक अर्धचालक $p-n$ डायोड में,$p$-पक्ष और $n$-पक्ष पर डोपिंग सांद्रता क्रमशः $10^{15} \text{ atoms/cm}^3$ और $10^{18} \text{ atoms/cm}^3$ है। निम्नलिखित में से कौन सा कथन सत्य है?

चित्र में दिखाए अनुसार एक $2 \ V$ की सेल को बिंदुओं $A$ और $B$ के बीच जोड़ा गया है। मान लीजिए कि प्रत्येक डायोड का प्रतिरोध फॉरवर्ड बायस में शून्य और रिवर्स बायस में अनंत है। सेल द्वारा आपूर्ति की गई धारा है ($A$ में)

निम्नलिखित परिपथ में जंक्शन डायोड को अपने $I-V$ अभिलक्षणिक वक्र के नी पॉइंट $(0.7 \, V)$ से ऊपर रहने के लिए न्यूनतम $1 \, mA$ धारा की आवश्यकता होती है। नी पॉइंट से ऊपर डायोड के सिरों पर वोल्टेज धारा से स्वतंत्र है। यदि $V_B = 5 \, V$ है,तो $R$ का अधिकतम मान क्या होगा ताकि वोल्टेज नी पॉइंट से ऊपर रहे?