निम्नलिखित तालिका एक दिए गए डायोड के लिए प्राप्त $V$ और $I$ के मानों का सेट प्रदान करती है। मान लीजिए कि विशेषताएँ लगभग रैखिक हैं। इस सीमा में,दिए गए डायोड का फॉरवर्ड और रिवर्स बायस प्रतिरोध क्रमशः क्या है?
स्थिति $V$ $I$
फॉरवर्ड बायसिंग $2.0 \, V$ $60 \, mA$
फॉरवर्ड बायसिंग $2.4 \, V$ $80 \, mA$
रिवर्स बायसिंग $0 \, V$ $0 \, \mu A$
रिवर्स बायसिंग $-2 \, V$ $-0.25 \, \mu A$

  • A
    $10 \, \Omega, 8 \times 10^6 \, \Omega$
  • B
    $20 \, \Omega, 4 \times 10^5 \, \Omega$
  • C
    $20 \, \Omega, 8 \times 10^6 \, \Omega$
  • D
    $10 \, \Omega, 10 \, \Omega$

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$X$ और $Y$ बिंदुओं के बीच एक $5 \, V$ की बैटरी जुड़ी है। मान लीजिए कि $D_{1}$ और $D_{2}$ सामान्य सिलिकॉन डायोड हैं। यदि बैटरी का धनात्मक टर्मिनल $X$ बिंदु से जुड़ा हो,तो बैटरी द्वारा आपूर्ति की गई धारा ($A$ में) ज्ञात कीजिए।

निम्नलिखित परिपथ में एमीटर से प्रवाहित होने वाली धारा (आंतरिक प्रतिरोध की उपेक्षा करते हुए) क्या है?

दिए गए परिपथों में कौन सा डायोड फॉरवर्ड बायस में है?

$PN$ जंक्शन को फॉरवर्ड बायस करने के लिए,बैटरी का ऋणात्मक टर्मिनल किससे जोड़ा जाता है?

एक $p-n$ जंक्शन में,अवक्षय क्षेत्र (depletion region) में $5 \times 10^5 \ V/m$ का विद्युत क्षेत्र मौजूद है। $n$-साइड से $p$-साइड की ओर विसरित (diffuse) होने के लिए एक चालन इलेक्ट्रॉन की न्यूनतम गतिज ऊर्जा $3.2 \times 10^{-20} \ J$ पाई जाती है। अवक्षय क्षेत्र की चौड़ाई है,

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