હવામાં પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું કરવામાં આવે અને પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યામાં $6$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું ડાયઇલેક્ટ્રિક ભરવામાં આવે,તો કેપેસિટન્સ કેટલું થશે?

$A$ પ્લેટ ક્ષેત્રફળ અને $d$ અંતર ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને ડાયઇલેક્ટ્રિક વડે ભરવામાં આવે છે. જ્યારે ડાયઇલેક્ટ્રિકની પરમિટિવિટી નીચે મુજબ બદલાતી હોય ત્યારે કેપેસિટરની કેપેસીટન્સ શું હશે:
$\varepsilon(x) = \varepsilon_{0} + kx$,$(0 < x \leq d/2)$ માટે
$\varepsilon(x) = \varepsilon_{0} + k(d-x)$,$(d/2 \leq x \leq d)$ માટે

કયું વિધાન સાચું છે? એક સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટર બેટરી સાથે જોડાયેલ છે. તેનો વિદ્યુતભાર,સ્થિતિમાન,વિદ્યુતક્ષેત્ર અને ઉર્જા અનુક્રમે ${Q_0}$,${V_0}$,${E_0}$ અને ${U_0}$ છે. પ્લેટો વચ્ચેની સંપૂર્ણ જગ્યા ભરવા માટે એક ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ દાખલ કરવામાં આવે છે,અને બેટરી હજુ પણ જોડાયેલ છે. હવે સંબંધિત મૂલ્યો $Q$,$V$,$E$ અને $U$ શરૂઆતના મૂલ્યો સાથે કેવી રીતે સંબંધિત છે?

$S$ ક્ષેત્રફળ અને $d$ પ્લેટ અંતર ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું હવામાં કેપેસિટન્સ $C_1$ છે. જ્યારે આકૃતિમાં દર્શાવ્યા મુજબ બે પ્લેટોની વચ્ચે અલગ-અલગ સાપેક્ષ પરમિટિવિટી $(\varepsilon_1=2$ અને $\varepsilon_2=4)$ ધરાવતા બે ડાયલેક્ટ્રિક મૂકવામાં આવે છે,ત્યારે કેપેસિટન્સ $C_2$ થાય છે. ગુણોત્તર $\frac{C_2}{C_1}$ શોધો.

$15 \, nF$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા કેપેસીટરમાં $\varepsilon_{r} = 2.5$ ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબ,ડાયલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થ $30 \, MV/m$ અને વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત $V = 30 \, V$ છે. તો પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ ....... $\times 10^{-4} \, m^{2}$ છે.

કેપેસિટરમાં ડાયઇલેક્ટ્રિકનું કાર્ય શું છે?