કેપેસિટરને ચાર્જ કરવામાં આવે છે.તેમાં $4 \times {10^{ - 5}}\,m$ ડાઇઇલેકિટ્રક પ્લેટ નાખતાં પહેલા જેટલો વોલ્ટેજ કરવા માટે બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $3.5 \times {10^{ - 5}}\,m$ વધારવું પડે છે.તો ડાઇઇલેકિટ્રકનો ડાઇઇલેકિટ્રક અચળાંક કેટલો હશે?

એક સમાંતર પ્લેટવાળા કેપેસીટરની પ્લેટો વસ્ચે હવા રહેલી છે અને તેનું કેપેસીટન્સ $C$ છે. આ પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બે ગણું કરવામાં આવે અને તેમની વચ્ચે $6$ જેટલાં અચળાંક ધરાવતું ડાઈઈલેક્ટ્રીક ભરી દેવામાં આવે તો નવો કેપેસીટન્સ કેટલો થશે?

જ્યારે સમાંતર પ્લેટ વચ્યે $d$ જાડાઈનું હવાનું માધ્યમ હોય ત્યારે તેનું કેપેસીટન્સ $5\,\mu\,F$ છે. આ બંને પ્લેટ વચ્યે $1.5$ ડાયઈલેક્ટ્રીક અચળાંક અને પ્લેટના ક્ષેત્રફળ જેટલું ક્ષેત્રફળ પણ $\frac{d}{2}$ જાડાઈ ધરાવતો પદાર્થ દાખલ કરવામાં આવે છે. તો સ્લેબની હાજરી કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ $..........\mu F$ થાય.

$6\,mm$ બે પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર ધરાવતા $15 \,\mu F$ કેપેસિટરમાં $3\,mm$ જાડાઇનું ધાતુની પ્લેટ દાખલ કરતાં નવો કેપેસિટન્સ કેટલા .......$\mu F$ થાય?

$A$ જેટલો પ્લેટનું ક્ષેત્રફળ, પ્લેટો વચ્યેનું અંતર $d =2 \,m$ ધરાવતા એક સમાંતર પ્લેટ સંધારકની સંધારકતા $4 \,\mu F$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેના અડધા વિસ્તારને $K =3$ જેટલો ડાયઈલેકટ્રીક ધરાવતા અવાહક માધ્યમથી ભરવામાં આવે (આફૃતિ જુઓ) તો આ તંત્રની નવી સંધારકતા .........  $ \mu F$ થશે.

$20\, cm$ ની ત્રિજ્યાવાળા ડાઈ ઈલેકટ્રીક ગોળાના કેન્દ્રથી $20\, cm$ અંતરે વિદ્યુતક્ષેત્ર $100\  V/m$ છે. તો ગોળાના કેન્દ્રથી $3\, cm$ અંતરે $E$ કેટલા.......$V/m$  હશે?