એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને ચાર્જ કરવામાં આવે છે અને ત્યારબાદ ચાર્જિંગ બેટરીને દૂર કરવામાં આવે છે. જો કેપેસિટરની પ્લેટોને ઇન્સ્યુલેટીંગ હેન્ડલ્સની મદદથી એકબીજાથી દૂર કરવામાં આવે,તો

આકૃતિમાં બે કેપેસિટરો શ્રેણીમાં છે. $b$ જાડાઈનો દ્રઢ વાહક સ્લેબ ઉર્ધ્વ રીતે સરકી શકે છે. આ તંત્રનો સમતુલ્ય કેપેસિટન્સ શોધો.

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $0.01\, mm$ છે અને તે ઇન્સ્યુલેટર તરીકે ડાયઇલેક્ટ્રિક (જેની ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થ $19\, kV/mm$ છે) નો ઉપયોગ કરે છે. કેપેસિટરના ટર્મિનલ્સ પર લગાવી શકાય તેવો મહત્તમ વિદ્યુતસ્થિતિમાનનો તફાવત......$V$ છે.

કેપેસિટરની એક ડિઝાઇનમાં $80 \ mm \times 80 \ mm$ ક્ષેત્રફળ ધરાવતી ધાતુની પાતળી શીટ્સ વચ્ચે $40 \ \mu m$ જાડાઈનો કાગળ મૂકવામાં આવે છે. કાગળની સાપેક્ષ પરમિટિવિટી $4.0$ છે અને તેની ડાયલેક્ટ્રિક સ્ટ્રેન્થ $20 \ MVm^{-1}$ છે. કેપેસિટર પર મૂકી શકાય તેવો મહત્તમ વિદ્યુતભાર ગણો. [શૂન્યાવકાશની પરમિટિવિટી $\epsilon_0 = 9 \times 10^{-12} \ Fm^{-1}$]

હવાની વચ્ચે પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $9 \ pF$ છે. પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. હવે પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યાને બે ડાય-ઈલેક્ટ્રિક વડે ભરવામાં આવે છે. એક ડાય-ઈલેક્ટ્રિકનો ડાય-ઈલેક્ટ્રિક અચળાંક $K_1 = 3$ અને જાડાઈ $d/3$ છે,જ્યારે બીજાનો ડાય-ઈલેક્ટ્રિક અચળાંક $K_2 = 6$ અને જાડાઈ $2d/3$ છે. તો કેપેસિટરનું નવું કેપેસિટન્સ $pF$ માં શોધો.

સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યા $1 \times 10^{-3} \,m$ જાડાઈની માઈકા શીટ અને $0.5 \times 10^{-3} \,m$ જાડાઈની ફાઈબર શીટથી ભરેલી છે. માઈકા અને ફાઈબરના ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક અનુક્રમે $8$ અને $2.5$ છે. જો ફાઈબર $6.4 \times 10^6 \,V/m$ ના વિદ્યુતક્ષેત્ર પર બ્રેકડાઉન થાય, તો કેપેસિટર પર લગાવી શકાય તેવો મહત્તમ વોલ્ટેજ કેટલો હશે ($\,V$ માં)?