Difficult
एक लाइट एमिटिंग डायोड $(LED)$ को $GaAs$ अर्धचालक सामग्री का उपयोग करके बनाया गया है, जिसका बैंड गैप $1.42 \,eV$ है। $LED$ से उत्सर्जित प्रकाश की तरंगदैर्ध्य क्या है ($\,nm$ में)?
- A$650$
- B$1243$
- C$875$
- D$1400$
Explore More
Similar Questions
एक $LED$ का ऊर्जा अंतराल (energy gap) $2.4 eV$ है। जब $LED$ को चालू किया जाता है,तो उत्सर्जित फोटॉनों का संवेग (momentum) क्या होगा?
सौर सेल बनाने के लिए उपयुक्त पदार्थ है
Easy
View Solutionसौर सेल की संरचना, कार्यप्रणाली और उपयोग का वर्णन कीजिए।
Medium
View Solutionएक $p-n$ फोटोडायोड $2.0\, eV$ के बैंड गैप वाले पदार्थ से बना है। इस पदार्थ द्वारा अवशोषित की जा सकने वाली विकिरण की न्यूनतम आवृत्ति लगभग कितनी होगी?
लैपटॉप $PC$,आधुनिक इलेक्ट्रॉनिक घड़ियाँ और कैलकुलेटर डिस्प्ले के लिए निम्नलिखित में से किसका उपयोग करते हैं?
Easy
View SolutionVedclass Products
For Students
Vedclass Test Series
Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.
Start Free TrialFor Teachers
Exam Paper Generator
Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.
Try FreeFor Institutes
Online Exam Module
Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.
See Demo