Difficult
એક લાઈટ એમિટિંગ ડાયોડ $(LED)$ $GaAs$ સેમિકન્ડક્ટર મટીરીયલનો ઉપયોગ કરીને બનાવવામાં આવે છે, જેનો બેન્ડ ગેપ $1.42 \,eV$ છે. $LED$ માંથી ઉત્સર્જિત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ કેટલી હશે ($\,nm$ માં)?
- A$650$
- B$1243$
- C$875$
- D$1400$
Explore More
Similar Questions
$LED$ વિશે નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?
સોલર સેલ માટે $Si$ અને $GaAs$ ને શા માટે પસંદગીના પદાર્થો માનવામાં આવે છે?
Medium
View Solutionએક $LED$ ના $V-I$ લાક્ષણિકતાઓ કયા આલેખ દ્વારા યોગ્ય રીતે દર્શાવવામાં આવી છે?
લાઈટ એમિટિંગ ડાયોડ $(LED)$ માં,પ્રકાશનું ઉત્સર્જન શેના કારણે થાય છે?
જ્યારે $2480 \; nm$ કરતા ઓછી તરંગલંબાઈ ધરાવતું વિદ્યુતચુંબકીય વિકિરણ અર્ધવાહક પર આપાત થાય છે,ત્યારે તેની વિદ્યુત વાહકતા વધે છે. અર્ધવાહક માટે બેન્ડ ગેપ $eV$ માં કેટલો હશે?
MediumAIEEE 2005
View SolutionVedclass Products
For Students
Vedclass Test Series
Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.
Start Free TrialFor Teachers
Exam Paper Generator
Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.
Try FreeFor Institutes
Online Exam Module
Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.
See Demo