ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરમાં,સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_0)$ વિરુદ્ધ આવૃત્તિ $(\nu)$ નો આલેખ દોરવામાં આવે છે. ($h$ એ પ્લાન્કનો અચળાંક છે અને $\phi_0$ એ ધાતુનું વર્ક ફંક્શન છે)
$(A)$ $V_0$ વિરુદ્ધ $\nu$ રેખીય છે.
$(B)$ $V_0$ વિરુદ્ધ $\nu$ આલેખનો ઢાળ $= \frac{\phi_0}{h}$ છે.
$(C)$ પ્લાન્કનો અચળાંક $h$ એ $V_0$ વિરુદ્ધ $\nu$ રેખાના ઢાળ સાથે સંબંધિત છે.
$(D)$ $V_0$ વિરુદ્ધ $\nu$ આલેખનો ઉપયોગ કરીને $h$ નક્કી કરવા માટે ઈલેક્ટ્રોનના વિદ્યુતભારના મૂલ્યની જરૂર નથી.
$(E)$ $h$ નું મૂલ્ય જાણ્યા વિના વર્ક ફંક્શનનો અંદાજ લગાવી શકાય છે.
નીચે આપેલા વિકલ્પોમાંથી સાચો જવાબ પસંદ કરો:

  • A
    માત્ર $(A), (B)$ અને $(C)$
  • B
    માત્ર $(C)$ અને $(D)$
  • C
    માત્ર $(A), (C)$ અને $(E)$
  • D
    માત્ર $(D)$ અને $(E)$

Explore More

Similar Questions

$6 \, eV$ ઊર્જા ધરાવતો ફોટોન ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય ત્યારે ઉત્સર્જાતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $4 \, eV$ છે. તો સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલનું મૂલ્ય .......... $V$ છે.

ચોક્કસ ધાતુમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન માટે કટ-ઓફ આવૃત્તિ $\nu$ છે. જો $\nu$ આવૃત્તિવાળું વિકિરણ ધાતુની પ્લેટ પર આપાત થાય,તો ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ શક્ય વેગ કેટલો હશે? ($m$ એ ઈલેક્ટ્રોનનું દળ છે)

સોડિયમનું કાર્ય વિધેય (work function) $2.3 eV$ છે. સોડિયમ માટે થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ ........... $\mathring A $ હશે.

ધાતુઓ $A, B$ અને $C$ માટેનું કાર્ય વિધેય અનુક્રમે $1.92 \ eV, 2.0 \ eV$ અને $5 \ eV$ છે. આઈન્સ્ટાઈનના ફોટોઈલેક્ટ્રિક સમીકરણ મુજબ,$4100 \ \mathring A$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા વિકિરણથી કઈ ધાતુ(ઓ)માંથી ફોટોઈલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન થશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરના પ્રયોગમાં,સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V$ વિરુદ્ધ તરંગલંબાઈનો વ્યસ્ત $(1/\lambda)$ નો આલેખ આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. જેમ આપાત વિકિરણની તીવ્રતા વધારવામાં આવે તેમ:

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo