એક કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $15\ \mu F$ અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $2\ mm$ છે. જો પ્લેટોની વચ્ચે $K = 2$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક અને $t = 1\ mm$ જાડાઈ ધરાવતી ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્લેબ મૂકવામાં આવે,તો નવું કેપેસિટન્સ કેટલું થશે ($\mu F$ માં)?

નીચે આપેલા સર્કિટમાં,જો $C_2$ માં ડાયઇલેક્ટ્રિક દાખલ કરવામાં આવે,તો $C_1$ પરનો વિદ્યુતભાર:

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની પ્લેટની લંબાઈ $l$,પહોળાઈ $w$ અને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. તેને $V$ emf ધરાવતી બેટરી સાથે જોડવામાં આવે છે. $d$ જાડાઈ અને $k = 4$ ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી ડાયલેક્ટ્રિક સ્લેબને પ્લેટોની વચ્ચે દાખલ કરવામાં આવે છે. પ્લેટોની અંદર સ્લેબની કેટલી લંબાઈ $x$ માટે કેપેસિટરમાં સંગ્રહિત ઉર્જા પ્રારંભિક સંગ્રહિત ઉર્જા કરતા બમણી થશે?

હવાવાળા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $9 \ pF$ છે. જો બે પ્લેટ વચ્ચે $d/3$ જાડાઈ અને $K_1 = 3$ ડાઈઈલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું અને $2d/3$ જાડાઈ તથા $K_2 = 6$ ડાઈઈલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતું પદાર્થ ભરવામાં આવે,તો નવું કેપેસિટન્સ ...... $pF$ થશે.

ડાયલેક્ટ્રિક વગર સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની કેપેસિટન્સ $10\,\mu F$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેના અડધા અંતરને ભરવા માટે $K = 2$ અચળાંક ધરાવતા ડાયલેક્ટ્રિકનો ઉપયોગ કરવામાં આવે,તો નવી કેપેસિટન્સ $\mu F$ માં કેટલી થશે?

$5 \text{ mm}$ પ્લેટ અંતર ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને બેટરી દ્વારા ચાર્જ કરવામાં આવે છે. $2 \text{ mm}$ જાડાઈની માઈકાની શીટ દાખલ કરવા પર અને પ્લેટોના બેટરીના ટર્મિનલ્સ સાથેના જોડાણો જાળવી રાખતા,તે બેટરીમાંથી $25 \%$ વધુ ચાર્જ ખેંચે છે. માઈકાનો ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંક . . . . . . છે.