મેક્સવેલના મત અનુસાર,બદલાતું જતું વિદ્યુતક્ષેત્ર ....... ઉત્પન્ન કરે છે.

કેપેસિટરના ચાર્જિંગમાં એમ્પિયરના સર્કિટલ નિયમમાં વિરોધાભાસ શું છે?

$30 \mu F$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરની પ્લેટોમાંથી વહેતો સ્થાનાંતર પ્રવાહ $150 \mu A$ છે. કેપેસીટરને બદલાતા પોટેન્શિયલના સ્ત્રોત દ્વારા કયા દરે ચાર્જ કરવામાં આવે છે ($Vs^{-1}$ માં)?

$v = 4 \times 10^8\, Hz$ આવૃત્તિ ધરાવતા દરિયાના પાણીની પરમિટિવિટી $\epsilon \approx 80\epsilon_0$,પરમીબિલિટી $\mu = \mu_0$ અને અવરોધકતા $\rho = 0.25\,\Omega m$ છે. કલ્પના કરો કે એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર દરિયાના પાણીમાં ડૂબેલું છે અને તેને $V(t) = V_0 \sin(2\pi vt)$ વોલ્ટેજ સ્ત્રોત સાથે જોડવામાં આવ્યું છે. તો સ્થાનાંતર પ્રવાહ ઘનતા એ વહન પ્રવાહ ઘનતાનો કેટલો ભાગ છે?

દરિયાઈ પાણીમાં $f = 9 \times 10^{2} \, Hz$ આવૃત્તિ પર પરમિટિવિટી $\varepsilon = 80 \varepsilon_{0}$ અને અવરોધકતા $\rho = 0.25 \, \Omega m$ છે. કલ્પના કરો કે એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટર દરિયાઈ પાણીમાં ડૂબેલું છે અને તેને $V(t) = V_{0} \sin(2 \pi ft)$ એસી વોલ્ટેજ સ્ત્રોત દ્વારા ચલાવવામાં આવે છે. તો $t = \frac{1}{800} \, s$ સમય પછી વહન પ્રવાહ ઘનતા એ સ્થાનાંતર પ્રવાહ ઘનતા કરતા $10^{x}$ ગણી થાય છે. $x$ નું મૂલ્ય ......... છે. $\left(\frac{1}{4 \pi \varepsilon_{0}} = 9 \times 10^{9} \, Nm^{2} C^{-2}\right)$

ધારો કે સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરની અંદર વિદ્યુત ફ્લક્સ $7 \times 10^{14} \text{ V} \cdot \text{m/s}$ ના દરે બદલાય છે. જો પ્લેટોનું ક્ષેત્રફળ $1 \text{ m}^2$ હોય,તો કેપેસિટરની અક્ષથી $r = 0.1 \text{ m}$ અંતરે ચુંબકીય ક્ષેત્ર $B$ ની ગણતરી કરો. (આપેલ છે: $\varepsilon_0 = 8.85 \times 10^{-12} \text{ F/m}$,$\mu_0 = 4\pi \times 10^{-7} \text{ T} \cdot \text{m/A}$)