સીઝિયમનું કાર્ય વિધેય (work function) $2.27 eV$ છે. $600 nm$ તરંગલંબાઇ ધરાવતા પ્રકાશથી ઉત્તેજિત સીઝિયમ કેથોડમાંથી ઇલેક્ટ્રોનનું ઉત્સર્જન અટકાવવા માટેનું કટ-ઓફ વોલ્ટેજ કેટલું હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ઋણ કેમ હોઈ શકે નહીં?

$\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતો પ્રકાશ $\phi$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર આપાત થતા ઉત્સર્જિત ઈલેક્ટ્રોનનો મહત્તમ વેગ કેટલો હશે?
જ્યાં $h =$ પ્લાન્કનો અચળાંક, $m =$ ઈલેક્ટ્રોનનું દળ અને $c =$ પ્રકાશની ઝડપ.

જ્યારે કોઈ ધાતુની સપાટીને $\lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા એકવર્ણી પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે ફોટોઈલેક્ટ્રિક પ્રવાહ માટેનું સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $4 V_0$ છે. જ્યારે તે જ સપાટીને $3 \lambda$ તરંગલંબાઈ ધરાવતા પ્રકાશ વડે પ્રકાશિત કરવામાં આવે છે,ત્યારે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $V_0$ છે. આ સપાટી માટે ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસરની થ્રેશોલ્ડ તરંગલંબાઈ કેટલી હશે?

ફોટોઈલેક્ટ્રિક અસર (photoelectric effect) માં સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_0)$ વિરુદ્ધ આવૃત્તિ $(\nu)$ નો આલેખ એક સીધી રેખા છે. આ આલેખનો ઢાળ (slope) . . . . . . છે.

એક ધાતુનું કાર્ય વિધેય (work function) $1.6 \ eV$ છે. આ ધાતુમાંથી ફોટોઈલેક્ટ્રિક ઉત્સર્જન કરવા માટે જરૂરી પ્રકાશની મહત્તમ તરંગલંબાઈ $\mathring{A}$ માં કેટલી હશે? $(h = 6.6 \times 10^{-34} \ J \cdot s, c = 3 \times 10^8 \ m/s, 1 \ eV = 1.6 \times 10^{-19} \ J)$