આઈન્સ્ટાઈનના ફોટોઈલેક્ટ્રિક સમીકરણ અનુસાર,ધાતુમાંથી ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ગતિઊર્જા વિરુદ્ધ આપાત વિકિરણની આવૃત્તિનો આલેખ સુરેખ મળે છે,જેનો ઢાળ:

$1 \; eV$ અને $2.5 \; eV$ ઉર્જા ધરાવતા બે ફોટોન વિકિરણો ક્રમશઃ $0.5 \; eV$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી પ્રકાશસંવેદી ધાતુની સપાટી પર આપાત થાય છે. ઉત્સર્જિત ઇલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ઝડપનો ગુણોત્તર કેટલો હશે?

બે અલગ-અલગ ફોટોઈલેક્ટ્રિક સપાટીઓ $A$ અને $B$ માટે આપાત વિકિરણની આવૃત્તિ $(\nu)$ ના વિધેય તરીકે સ્ટોપિંગ પોટેન્શિયલ $(V_s)$ નો આલેખ દોરવામાં આવ્યો છે. આલેખ દર્શાવે છે કે $A$ નું કાર્ય વિધેય (work function) એ

$4.25\, eV$ ઉર્જા ધરાવતો ફોટોન જ્યારે ધાતુ $A$ ની સપાટી પર આપાત થાય છે,ત્યારે ઉત્સર્જિત ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $T_A\, eV$ અને ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ${\lambda _A}$ છે. $4.70\, eV$ ઉર્જા ધરાવતા ફોટોન દ્વારા બીજી ધાતુ $B$ માંથી મુક્ત થતા ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા ${T_B} = ({T_A} - 1.50)\, eV$ છે. જો આ ફોટોઈલેક્ટ્રોનની ડી-બ્રોગ્લી તરંગલંબાઈ ${\lambda _B} = 2{\lambda _A}$ હોય,તો:

નીચે આપેલા આલેખમાં,જો ઢાળ $4.12 \times 10^{-15} \ V-sec$ હોય,તો '$h$' નું મૂલ્ય કેટલું હોવું જોઈએ?

એક જગ્યાએ પ્રકાશનું સમીકરણ $\varepsilon = (100 \text{ V/m}) [\sin(5 \times 10^{15} \text{ s}^{-1})t + \sin(8 \times 10^{15} \text{ s}^{-1})t]$ દ્વારા દર્શાવવામાં આવે છે, જે $2 \text{ eV}$ વર્ક ફંક્શન ધરાવતી ધાતુની સપાટી પર પડે છે. ફોટોઈલેક્ટ્રોનની મહત્તમ ગતિઊર્જા $\text{eV}$ માં ગણો.