$Ge$ का फॉरबिडन एनर्जी गैप $0.75 \ eV$ है। $Ge$ अर्धचालक में इलेक्ट्रॉन-होल युग्म उत्पन्न करने के लिए आपतित फोटॉन विकिरण की अधिकतम तरंगदैर्ध्य ........... $\mathring{A}$ होनी चाहिए।

दिए गए परिपथ में $10\, \Omega$ के प्रतिरोधक से होकर बहने वाली धारा $I$ .......$mA$ है।

अवक्षय परत (depletion layer) में विभव प्राचीर (potential barrier) किसके कारण होता है?

परिपथ में दो डायोड हैं,जिनमें से प्रत्येक का अग्र प्रतिरोध (forward resistance) $50\, \Omega$ है और उत्क्रम प्रतिरोध (reverse resistance) अनंत है। यदि बैटरी का वोल्टेज $6\, V$ है,तो $120\, \Omega$ के प्रतिरोध से होकर बहने वाली धारा $mA$ में कितनी होगी?

$p-n$ जंक्शन डायोड के फॉरवर्ड बायसिंग के मामले में,निम्नलिखित में से कौन सा चित्र पारंपरिक धारा की दिशा (तीर के निशान द्वारा इंगित) को सही ढंग से दर्शाता है?

$p-n$ जंक्शन डायोड में बैरियर विभव (barrier potential) और अवक्षय क्षेत्र (depletion region) की व्याख्या कीजिए।