ધારો કે,એક $P-N$ જંકશનમાં ડેપ્લેશન સ્તરની જાડાઈ $10^{-6} \ m$ છે અને ડેપ્લેશન બેરિયરનું મૂલ્ય $0.1 \ V$ છે,તો વિદ્યુતક્ષેત્ર ....... $V \ m^{-1}$ છે.

સિલિકોન $P-N$ જંકશનમાં ફોરવર્ડ અને રિવર્સ બાયસમાં ચાર્જ કેરિયર્સની ગતિ માટેનું મુખ્ય મિકેનિઝમ કયું છે?

$p-n$ જંકશન ડાયોડના કિસ્સામાં,ડેપ્લેશન વિસ્તારની પહોળાઈ:

નીચે આપેલા વિધાનો $A$ અને $B$ ને ધ્યાનમાં લો અને આપેલા જવાબોમાંથી સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો:
$A:$ $P-N$ જંકશન ડાયોડમાં ફોરવર્ડ બાયસમાં ડેપ્લેશન લેયરની પહોળાઈ વધે છે.
$B:$ આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં,ફર્મી એનર્જી લેવલ ફોરબિડન ગેપની બરાબર મધ્યમાં હોય છે.

બધા ડાયોડ આદર્શ છે. ડાયોડ $D_1$ અને $D_2$ ની વચ્ચે જોડાયેલા $2\,\Omega$ ના અવરોધમાં વહેતો પ્રવાહ કેટલો છે ($,A$ માં)?

$PN$ જંકશનને વાહક બનાવવા માટે,