$PN$ જંકશનને વાહક બનાવવા માટે,

અનબાયસ્ડ $PN$ જંકશનના ડેપ્લેશન ઝોન (depletion zone) અંગે નીચેનામાંથી કયું/કયા વિધાન/વિધાનો સાચું/સાચા છે?
$(A)$ ઝોનની પહોળાઈ ડોપન્ટ્સ (અશુદ્ધિઓ) ની ઘનતાથી સ્વતંત્ર છે.
$(B)$ ઝોનની પહોળાઈ ડોપન્ટ્સની ઘનતા પર આધારિત છે.
$(C)$ ઝોનમાં વિદ્યુતક્ષેત્ર આયનીકૃત ડોપન્ટ પરમાણુઓ દ્વારા ઉત્પન્ન થાય છે.
$(D)$ ઝોનમાં વિદ્યુતક્ષેત્ર કન્ડક્શન બેન્ડમાં રહેલા ઇલેક્ટ્રોન અને વેલેન્સ બેન્ડમાં રહેલા હોલ્સ દ્વારા પૂરું પાડવામાં આવે છે.

આકૃતિમાં $p-n$ જંકશન ડાયોડનો $I-V$ લાક્ષણિકતા આલેખ દર્શાવેલ છે. જ્યારે $1 \text{ V}$ નો ફોરવર્ડ બાયસ લાગુ કરવામાં આવે ત્યારે $p-n$ જંકશનનો આશરે ડાયનેમિક અવરોધ શોધો. ($Omega$ માં)

ધારો કે જંકશન ડાયોડ આદર્શ છે, તો આકૃતિમાં દર્શાવેલ ગોઠવણીમાં પ્રવાહ શોધો। ($\text{mA}$ માં)

$p-n$ જંકશનને કેપેસિટર તરીકે ગણો,જેમાં $p$ અને $n$-મટિરિયલ પાતળા ધાતુના ઇલેક્ટ્રોડ તરીકે અને ડેપ્લેશન લેયરની પહોળાઈ તેમની વચ્ચેના અંતર તરીકે કાર્ય કરે છે. આના આધારે,ધારો કે એક $n-p-n$ ટ્રાન્ઝિસ્ટર $CE$ કોન્ફિગરેશનમાં એમ્પ્લીફાયર તરીકે કામ કરી રહ્યું છે. જો $C_1$ અને $C_2$ એ બેઝ-એમિટર્સ અને કલેક્ટર-એમિટર્સ જંકશન કેપેસિટન્સ હોય,તો :

નીચે આપેલા સર્કિટમાં એક વેવફોર્મ લાગુ કરવામાં આવે છે। આદર્શ ડાયોડ અને ${R_1} = {R_2}$ ધારીને, નીચેનામાંથી કયો આઉટપુટ વેવફોર્મ ઉત્પન્ન થશે?