આકૃતિમાં દર્શાવેલ $P-N$ જંકશન ડાયોડ માટે કયો વિકલ્પ યોગ્ય છે?

નીચેના વિધાનોના સંદર્ભમાં કયું વિધાન સાચું છે? $n$ થી $p$-બાજુ તરફ ઇલેક્ટ્રોનના પ્રસરણ (diffusion) ને કારણે:
$I$. ડેપ્લેશન વિસ્તારમાં ઇલેક્ટ્રોન જમા થાય છે.
$II$. ઇલેક્ટ્રોન ડ્રિફ્ટ પ્રવાહ $p$-બાજુથી $n$-બાજુ તરફ હોય છે.
$III$. $n$-વિસ્તારમાં આયનીકૃત ડોનર બાકી રહે છે.
$IV$. $n$-બાજુના ઇલેક્ટ્રોન $p$-બાજુ પર આવે છે અને $p$-બાજુમાં ઇલેક્ટ્રોન-હોલનું સંયોજન થાય છે.
નીચેનામાંથી સાચો વિકલ્પ પસંદ કરો.

$P-N$ જંકશન એ ............ છે.

આકૃતિમાં બે આકૃતિઓ દર્શાવેલ છે જેમાં ડાયોડ અને અવરોધ જોડાયેલા છે. નીચેના વિધાનોમાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

કઈ આકૃતિમાં જંકશન ડાયોડ ફોરવર્ડ બાયસ્ડ (forward biased) છે?

જો નીચે દર્શાવેલ સર્કિટમાં દરેક ડાયોડનો ફોરવર્ડ બાયસ અવરોધ $25\,\Omega$ હોય,તો નીચેનામાંથી કયો વિકલ્પ સાચો છે?