એક અર્ધવાહક ડાયોડમાં ફૉરવર્ડ વૉલ્ટેજનું મૂલ્ય $0.5 \ V$ થી $0.7 \ V$ કરવામાં આવે છે. પરિણામે ફૉરવર્ડ પ્રવાહમાં $1 \ mA$ જેટલો ફેરફાર થાય છે,તો ડાયોડનો ફૉરવર્ડ અવરોધ ....... $\Omega$ છે.

$p-n$ જંકશન ડાયોડમાં પોટેન્શિયલ બેરિયર શેના કારણે હોય છે?

એક સેમિકન્ડક્ટર ડાયોડમાં,$P$-સાઇડને અર્થિંગ કરવામાં આવે છે અને $N$-સાઇડને $-2\,V$ ના પોટેન્શિયલ પર રાખવામાં આવે છે,તો ડાયોડ

$p-n$ જંકશનને ક્યારે અને શા માટે ફોરવર્ડ બાયસ કહેવામાં આવે છે? આવા બાયસ હેઠળ થતા ફેરફારોનું વર્ણન કરો.

રિવર્સ બાયસ્ડ $p-n$ જંકશનના ડેપ્લેશન લેયરમાં,

$p-n$ જંકશનમાં,ડેપ્લેશન રિજનમાં $5 \times 10^5 \ V/m$ નું વિદ્યુતક્ષેત્ર અસ્તિત્વ ધરાવે છે. $n$-સાઇડથી $p$-સાઇડ તરફ પ્રસરણ કરવા માટે કન્ડક્શન ઇલેક્ટ્રોનની લઘુત્તમ ગતિઊર્જા $3.2 \times 10^{-20} \ J$ માલૂમ પડે છે. તો ડેપ્લેશન રિજનની પહોળાઈ કેટલી હશે?