રિવર્સ બાયસ્ડ $p-n$ જંકશનના ડેપ્લેશન લેયરમાં,

$p-n$ જંકશનને કેપેસિટર તરીકે ગણો,જેમાં $p$ અને $n$-મટિરિયલ પાતળા ધાતુના ઇલેક્ટ્રોડ તરીકે અને ડેપ્લેશન લેયરની પહોળાઈ તેમની વચ્ચેના અંતર તરીકે કાર્ય કરે છે. આના આધારે,ધારો કે એક $n-p-n$ ટ્રાન્ઝિસ્ટર $CE$ કોન્ફિગરેશનમાં એમ્પ્લીફાયર તરીકે કામ કરી રહ્યું છે. જો $C_1$ અને $C_2$ એ બેઝ-એમિટર્સ અને કલેક્ટર-એમિટર્સ જંકશન કેપેસિટન્સ હોય,તો :

$2\,V$ ની બેટરી ડાયોડને ફોરવર્ડ બાયસ કરે છે. ડાયોડ પર $0.5\,V$ નો ડ્રોપ છે જે પ્રવાહથી સ્વતંત્ર છે. ઉપરાંત,$10\,mA$ કરતા વધારે પ્રવાહ મોટી જૂલ ઉષ્મા ઉત્પન્ન કરે છે અને ડાયોડને નુકસાન પહોંચાડે છે. જો ડાયોડને $5\,mA$ પર ચલાવવાનો હોય,તો શ્રેણીમાં જોડવાનો અવરોધ કેટલો હશે?

આપેલ પરિપથમાં,$P-N$ જંકશન ડાયોડના બે છેડા વચ્ચેનો વૉલ્ટેજ પ્રવાહ પર આધાર રાખ્યા વગર $0.5 \ V$ જેટલો અચળ રહે છે. ડાયોડની મહત્તમ પાવરક્ષમતા $100 \ mW$ છે. પરિપથમાં મહત્તમ પ્રવાહ મેળવવા માટે $R$ નું મૂલ્ય $\Omega$ માં કેટલું હોવું જોઈએ?

ફોરવર્ડ બાયસ અને રિવર્સ બાયસમાં પોટેન્શિયલ બેરિયરની ઊંચાઈ કેવી રીતે બદલાય છે?

અનબાયસ્ડ $p-n$ જંકશન ડાયોડના જંકશન નજીકના વિસ્તારને ડેપ્લેશન લેયર તરીકે ઓળખવામાં આવે છે. આ લેયરમાં શેનો અભાવ હોય છે?