ઘન પદાર્થના બૅન્ડ ડાયાગ્રામ કયા સિદ્ધાંતના આધારે અલગ અલગ પ્રકારના હોય છે?

$Si$ અને $Ge$ ની ઇલેક્ટ્રોનિક રચના લખો.

નીચેનામાંથી કોના કિસ્સામાં ઉર્જા ગેપ (energy gap) $ 3 eV $ કરતા ઓછો છે?

પરમ શૂન્ય તાપમાને,$Si$ એ ........... તરીકે વર્તે છે.

અર્ધવાહક (semiconductor) માટે નીચેનામાંથી કયા વિધાનો સાચા છે?
$(i)$ $0\, K$ તાપમાને કોઈ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન હોતા નથી.
$(ii)$ કોઈપણ તાપમાને મુક્ત ઇલેક્ટ્રોન હોતા નથી.
$(iii)$ તાપમાન વધવાની સાથે મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા વધે છે.
$(iv)$ મુક્ત ઇલેક્ટ્રોનની સંખ્યા વાહક (conductor) કરતા ઓછી હોય છે.

જર્મેનિયમ $(Ge)$ માટે બેન્ડ ગેપ ઊર્જા કેટલી છે?