$Si$ અને $Ge$ ની ઇલેક્ટ્રોનિક રચના લખો.

Vedclass pdf generator app on play store
Vedclass iOS app on app store
(N/A) સિલિકોન $(Si)$ નો પરમાણુ ક્રમાંક $14$ છે. તેની ઇલેક્ટ્રોનિક રચના $1s^2 2s^2 2p^6 3s^2 3p^2$ છે,જેને $[Ne] 3s^2 3p^2$ તરીકે પણ લખી શકાય છે.
જર્મેનિયમ $(Ge)$ નો પરમાણુ ક્રમાંક $32$ છે. તેની ઇલેક્ટ્રોનિક રચના $1s^2 2s^2 2p^6 3s^2 3p^6 3d^{10} 4s^2 4p^2$ છે,જેને $[Ar] 3d^{10} 4s^2 4p^2$ તરીકે પણ લખી શકાય છે.

Explore More

Similar Questions

કયા પદાર્થમાં ઊર્જાનો બૅન્ડગૅપ મહત્તમ હોય છે?

$Ge$ માં ફોરબિડન એનર્જી ગેપ $0.72\,eV$ છે. આપેલ છે કે $hc = 12400\,eV\cdot\mathring{A}$. ઇલેક્ટ્રોન-હોલ પેર ઉત્પન્ન કરવા માટે જરૂરી વિકિરણની મહત્તમ તરંગલંબાઇ ..........$\mathring{A}$ છે.

જ્યારે અર્ધવાહકને ગરમ કરવામાં આવે છે,ત્યારે તેનો અવરોધ

$Ge$ અને $Na$ ની વિદ્યુતીય વાહકતા અનુક્રમે $\sigma_1$ અને $\sigma_2$ છે. જો આ પદાર્થોને ગરમ કરવામાં આવે,તો:

નીચેનામાંથી કોના કિસ્સામાં ઉર્જા ગેપ (energy gap) $ 3 eV $ કરતા ઓછો છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo