$P$-પ્રકારનો અર્ધવાહક .......

જ્યારે જર્મેનિયમમાં ફોસ્ફરસ ઉમેરવામાં આવે છે,ત્યારે ડોપ્ડ મટીરીયલમાં શું હોય છે?

એક સિલિકોનનો નમૂનો $p$-પ્રકારના અર્ધવાહક તરીકે ડોપિંગ કરીને બનાવવામાં આવે છે. જેમાં ઇન્ડિયમનો એક પરમાણુ સિલિકોનના $5 \times 10^7$ પરમાણુ દીઠ ઉમેરવામાં આવે છે. જો સિલિકોનની સંખ્યા ઘનતા $5 \times 10^{28} \text{ atoms/m}^3$ હોય,તો પ્રતિ $\text{cm}^3$ દીઠ એક્સેપ્ટર પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા ગણો.

નીચેનામાંથી કયું વિધાન ખોટું છે?

જો $n_e$ અને $n_h$ એ બાહ્ય (extrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા હોય અને $n_i$ એ આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં વાહકની સાંદ્રતા હોય,તો:

અર્ધવાહકમાં ઇલેક્ટ્રોનની મોબિલિટીને તેમના ડ્રિફ્ટ વેગ અને લાગુ કરેલા વિદ્યુતક્ષેત્રના ગુણોત્તર તરીકે વ્યાખ્યાયિત કરવામાં આવે છે. જો $n$-પ્રકારના અર્ધવાહક માટે,ઇલેક્ટ્રોનની ઘનતા $10^{19} \ m^{-3}$ હોય અને તેમની મોબિલિટી $1.6 \ m^2/(V \cdot s)$ હોય,તો અર્ધવાહકની અવરોધકતા (કારણ કે તે $n$-પ્રકારનો અર્ધવાહક છે,હોલ્સનું યોગદાન અવગણવામાં આવે છે) ................ $\Omega \cdot m$ ની નજીક છે.