એક સિલિકોનનો નમૂનો $p$-પ્રકારના અર્ધવાહક તરીકે ડોપિંગ કરીને બનાવવામાં આવે છે. જેમાં ઇન્ડિયમનો એક પરમાણુ સિલિકોનના $5 \times 10^7$ પરમાણુ દીઠ ઉમેરવામાં આવે છે. જો સિલિકોનની સંખ્યા ઘનતા $5 \times 10^{28} \text{ atoms/m}^3$ હોય,તો પ્રતિ $\text{cm}^3$ દીઠ એક્સેપ્ટર પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા ગણો.

  • A
    $5 \times 10^{15} \text{ atoms/cm}^3$
  • B
    $10^{18} \text{ atoms/cm}^3$
  • C
    $10^{15} \text{ atoms/cm}^3$
  • D
    $5 \times 10^{17} \text{ atoms/cm}^3$

Explore More

Similar Questions

$P$-પ્રકારનો સેમીકન્ડક્ટર એટલે:

એક સેમિકન્ડક્ટરની ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની મોબિલિટી અનુક્રમે $\mu_{n}$ અને $\mu_{p}$ છે. જો તેની આંતરિક કેરિયર ઘનતા $n_{i}$ હોય,તો આપેલ તાપમાને વાહકતા ન્યૂનતમ હોય તે માટે હોલ સાંદ્રતા $p$ નું મૂલ્ય શું હશે?

જો $5 \times 10^7$ સિલિકોન પરમાણુ દીઠ એક ઇન્ડિયમ પરમાણુ ઉમેરવામાં આવે (ડોપિંગ),અને સિલિકોન પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા $5 \times 10^{28} \, \text{atoms}/\text{m}^3$ હોય,તો એક્સેપ્ટર પરમાણુઓની સંખ્યા ઘનતા $\text{atoms}/\text{cm}^3$ માં શોધો.

Difficult
View Solution

$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ $Si$ સ્ફટિકમાં ઈલેક્ટ્રોન $(n_e)$ અને હોલ $(n_h)$ ની સાંદ્રતા સમાન છે,જે $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ છે. ઈન્ડિયમ વડે ડોપિંગ કરવાથી,હોલની સાંદ્રતા વધીને $4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ થાય છે. ડોપ્ડ $Si$ માં નવી ઈલેક્ટ્રોન સાંદ્રતા $(n_e)$ ગણો.

Difficult
View Solution

અર્ધવાહકની અવરોધકતા $(\rho)$ નો તાપમાન $(T)$ પરનો આધાર નીચેનામાંથી કયા આલેખ દ્વારા દર્શાવવામાં આવે છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo