જો $n_e$ અને $n_h$ એ બાહ્ય (extrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં ઇલેક્ટ્રોન અને હોલની સાંદ્રતા હોય અને $n_i$ એ આંતરિક (intrinsic) સેમિકન્ડક્ટરમાં વાહકની સાંદ્રતા હોય,તો:

$N$-પ્રકારના સેમિકન્ડક્ટર બનાવવા માટે $Si$ માં કઈ અશુદ્ધિ ઉમેરવામાં આવે છે?

$n$-ટાઈપ સેમિકન્ડક્ટરમાં,ફર્મી એનર્જી લેવલ ક્યાં હોય છે?

$300 \ K$ તાપમાને શુદ્ધ સિલિકોન સ્ફટિકની વાહકતા કેટલી હશે? જો ઈન્ટ્રિન્સિક કેરિયર સાંદ્રતા $1.072 \times 10^{10} \ cm^{-3}$ હોય અને આ તાપમાને ઈલેક્ટ્રોન મોબિલિટી $\mu_n = 1350 \ cm^2 / (V \cdot s)$ અને હોલ મોબિલિટી $\mu_p = 480 \ cm^2 / (V \cdot s)$ હોય.

જર્મેનિયમના નમૂનામાં,અશુદ્ધિ તરીકે ગેલિયમના નિશાન ઉમેરવામાં આવે છે. પરિણામી નમૂનો કેવો વ્યવહાર કરશે?

એનર્જી બેન્ડ થીયરીના આધારે $n$-પ્રકાર અને $p$-પ્રકારના અર્ધવાહકો સમજાવો.