ફોટોડાયોડની સાંકેતિક રજૂઆત કઈ છે?

દ્રશ્યમાન LEDs ના નિર્માણ માટે વપરાતા સેમિકન્ડક્ટરનો બેન્ડ ગેપ ઓછામાં ઓછો કેટલો હોવો જોઈએ ($eV$ માં)?

ત્રણ સર્કિટ ઘટકો $A, B$ અને $C$ માટે,પ્રયોગશાળામાં નીચે મુજબના અવલોકનો કરવામાં આવ્યા હતા:
$(a)$ ઘટક $A$ $d.c.$ નું વહન કરી શકતું નથી પરંતુ તેમાંથી $a.c.$ ને પસાર થવા દે છે.
$(b)$ ઘટક $B$ $AC$ અને $DC$ બંનેનું વહન કરે છે પરંતુ માત્ર એક જ દિશામાં.
$(c)$ ઘટક $C$,જ્યારે $DC$ સાથે જોડવામાં આવે છે,ત્યારે તે માત્ર એક ધ્રુવીયતા માટે વહન કરે છે અને પ્રકાશ ઉત્સર્જિત કરે છે જેની તીવ્રતા લાગુ વોલ્ટેજમાં વધારા સાથે પહેલા વધે છે અને પછી ઘટે છે.
ઘટકો $A, B$ અને $C$ ને અનુક્રમે ઓળખો.

જો એક સેમિકન્ડક્ટર ફોટોડાયોડ $400\, nm$ ની મહત્તમ તરંગલંબાઇ ધરાવતા ફોટોનને શોધી શકતું હોય, તો તેની બેન્ડ ગેપ ઉર્જા કેટલી હશે ($ eV$ માં)? (આપેલ છે: પ્લાન્કનો અચળાંક $h = 6.63 \times 10^{-34}\, J \cdot s$, પ્રકાશની ઝડપ $c = 3 \times 10^{8}\, m/s$)

ફોટોડાયોડના બાયસિંગ વોલ્ટેજમાં વધારો થતાં,ફોટોકરંટનું મૂલ્ય

નીચેના વિધાનો $A$ અને $B$ ધ્યાનમાં લો અને સાચો જવાબ ઓળખો:
$A$. સોલર સેલ માટે,$I-V$ લાક્ષણિકતાઓ આપેલ આલેખના $IV$ ચરણમાં આવેલી છે.
$B$. રિવર્સ બાયસ્ડ $pn$ જંકશન ડાયોડમાં,$(\mu A)$ માં મપાતો પ્રવાહ મેજોરિટી ચાર્જ કેરિયર્સને કારણે હોય છે.