$GaAsP$ નો ઉપયોગ કરીને $p-n$ જંકશન ડાયોડમાંથી $LED$ બનાવવામાં આવે છે. એનર્જી ગેપ $1.9\; eV$ છે. ઉત્સર્જિત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ કેટલી હશે?

  • A
    $10.4 \times 10^{-26}\; m$
  • B
    $654 \;nm$
  • C
    $654 \;\mathring A$
  • D
    $654 \times 10^{-11} \;m$

Explore More

Similar Questions

એક $LED$ (Light Emitting Diode) એ $Ga-As-P$ સેમિકન્ડક્ટર મટિરિયલના $p-n$ જંકશનથી બનેલું છે,જેનો એનર્જી ગેપ $1.9\, eV$ છે. ઉત્સર્જિત પ્રકાશની તરંગલંબાઇ કેટલી હશે?

નીચેનામાંથી કઈ સંજ્ઞા ફોટોડાયોડ દર્શાવે છે?

ફોટોડાયોડના બાયસિંગ વોલ્ટેજમાં વધારો થતાં,ફોટોકરંટનું મૂલ્ય

$LED$ બનાવવા માટે વપરાતા સેમિકન્ડક્ટરનો બેન્ડ ગેપ જણાવો.

લાઇટ એમિટિંગ ડાયોડ $(LED)$ ની યોજનાકીય સંજ્ઞા કઈ છે?

Vedclass Products

For Students

Vedclass Test Series

Mock tests in real JEE/NEET style with performance analysis. 5-day free trial.

Start Free Trial
For Teachers

Exam Paper Generator

Generate Set A/B/C/D exam papers from 7.5L+ questions in 2 minutes. 3 chapters free.

Try Free
For Institutes

Online Exam Module

Live online exams with unlimited students, 360° analytics & white-label branding.

See Demo