$C_0$ કેપેસીટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરને $V_0$ વોલ્ટેજ સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે. બેટરી દૂર કર્યા પછી,જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું કરવામાં આવે,તો તેમાં સંગ્રહિત ઉર્જા $E_1$ છે. તેના બદલે,જો બેટરી જોડેલી રાખીને પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર બમણું કરવામાં આવે,તો તેમાં સંગ્રહિત ઉર્જા $E_2$ છે. તો $\frac{E_2}{E_1}$ નું મૂલ્ય કેટલું થાય?

એક વિદ્યુતભારિત વાહક શૂન્યાવકાશમાં તેની સપાટીની બરાબર બહાર $10^3 \ V/m$ તીવ્રતાનું વિદ્યુતક્ષેત્ર ઉત્પન્ન કરે છે. જ્યારે તેને $4$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા માધ્યમમાં મૂકવામાં આવે છે,ત્યારે તે તેની સપાટીની બહાર $E$ તીવ્રતાનું વિદ્યુતક્ષેત્ર ઉત્પન્ન કરે છે. $E$ નું મૂલ્ય કેટલું હશે ($V/m$ માં)?

પ્લેટ ક્ષેત્રફળ $A$ અને પ્લેટ વચ્ચેનું અંતર $d$ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને $V$ જેટલા વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવત સુધી ચાર્જ કરવામાં આવે છે અને ત્યારબાદ બેટરી દૂર કરવામાં આવે છે. હવે $K$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતી સ્લેબને કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે એવી રીતે દાખલ કરવામાં આવે છે કે તે પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યાને સંપૂર્ણ ભરી દે. જો $Q$,$E$ અને $W$ અનુક્રમે દરેક પ્લેટ પરનો વિદ્યુતભાર,પ્લેટો વચ્ચેનું વિદ્યુતક્ષેત્ર (સ્લેબ દાખલ કર્યા પછી) અને સ્લેબ દાખલ કરવાની પ્રક્રિયામાં સિસ્ટમ પર થયેલ કાર્ય દર્શાવતા હોય,તો:

એક સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $C_p$ છે. તેને $K_1$ અને $K_2$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતા પદાર્થોના સમાંતર સ્તરોથી સમાન રીતે ભરવામાં આવે છે. હવે તેની ક્ષમતા $C_K$ થાય છે. $C_P$ અને $C_K$ નો ગુણોત્તર કેટલો થાય?

એક સમાંતર પ્લેટ એર કેપેસિટરને ચાર્જ કરીને પછી અલગ કરવામાં આવે છે. જ્યારે કેપેસિટરની પ્લેટો વચ્ચે ડાયલેક્ટ્રિક પદાર્થ દાખલ કરવામાં આવે છે,ત્યારે નીચેનામાંથી શું બદલાતું નથી?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરમાં પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $3x$ છે. આ અંતર બે ડાયઇલેક્ટ્રિકના સ્તરો દ્વારા ભરવામાં આવે છે,જેમાં એક સ્તરની જાડાઈ $x$ અને ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $3k$ છે,અને બીજા સ્તરની જાડાઈ $2x$ અને ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક $5k$ છે. જો કેપેસિટરની પ્લેટોને બેટરી સાથે જોડવામાં આવે,તો ડાયઇલેક્ટ્રિક સ્તરો વચ્ચેના વિદ્યુતસ્થિતિમાનના તફાવતનો ગુણોત્તર કેટલો થાય?