એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને ચાર્જ કરીને પછી અલગ કરવામાં આવે છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર વધારવામાં આવે,તો નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું નથી?

$C$ કેપેસિટન્સ ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરમાં,પ્લેટોની વચ્ચે તેમને સમાંતર એક ધાતુની શીટ મૂકવામાં આવે છે. જો શીટની જાડાઈ પ્લેટો વચ્ચેના અંતર કરતા અડધી હોય,તો નવું કેપેસિટન્સ કેટલું થશે?

હવામાં પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $8 \;pF$ $(1 \;pF = 10^{-12} \;F)$ છે. જો પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર અડધું કરવામાં આવે અને તેમની વચ્ચેની જગ્યામાં $6$ ડાયઇલેક્ટ્રિક અચળાંક ધરાવતો પદાર્થ ભરવામાં આવે,તો કેપેસિટન્સ ($pF$ માં) કેટલું થશે?

એક સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરને સમાન જાડાઈના $3$ ડાયલેક્ટ્રિક પદાર્થોથી ભરવામાં આવે છે,જે આકૃતિમાં દર્શાવેલ છે. ડાયલેક્ટ્રિક અચળાંકો એવા છે કે $k_3 > k_2 > k_1$. ધારો કે દરેક ડાયલેક્ટ્રિકમાં વિદ્યુત ક્ષેત્ર અને પોટેન્શિયલ ડ્રોપના મૂલ્યો અનુક્રમે $E_3, E_2, E_1$ અને $\Delta V_3, \Delta V_2, \Delta V_1$ છે. નીચેનામાંથી કયું વિધાન સાચું છે?

હવાની વચ્ચે પ્લેટો ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસિટરનું કેપેસિટન્સ $9 \ pF$ છે. પ્લેટો વચ્ચેનું અંતર $d$ છે. હવે પ્લેટો વચ્ચેની જગ્યાને બે ડાય-ઈલેક્ટ્રિક વડે ભરવામાં આવે છે. એક ડાય-ઈલેક્ટ્રિકનો ડાય-ઈલેક્ટ્રિક અચળાંક $K_1 = 3$ અને જાડાઈ $d/3$ છે,જ્યારે બીજાનો ડાય-ઈલેક્ટ્રિક અચળાંક $K_2 = 6$ અને જાડાઈ $2d/3$ છે. તો કેપેસિટરનું નવું કેપેસિટન્સ $pF$ માં શોધો.

બે પ્લેટો વચ્ચે $0.4\ cm$ અંતર ધરાવતા સમાંતર પ્લેટ કેપેસીટરનું કેપેસીટન્સ $2\ \mu F$ છે. જો તેમની વચ્ચેનું અંતર અડધું કરવામાં આવે અને તે જગ્યાને $2.8$ ડાઇલેક્ટ્રીક અચળાંક ધરાવતા દ્રવ્યથી ભરી દેવામાં આવે,તો કેપેસીટરનું અંતિમ કેપેસીટન્સ .....$\mu F$ થશે.