$p$-प्रकार के अर्धचालक और $n$-प्रकार के अर्धचालक के बीच अंतर स्पष्ट करने के लिए चार बिंदु लिखिए।

एक अर्धचालक में इलेक्ट्रॉनों और होलों की आंतरिक सांद्रता $6 \times 10^8 \ m^{-3}$ है। कुछ अशुद्धि मिलाने के बाद,इलेक्ट्रॉन सांद्रता बढ़कर $9 \times 10^{12} \ m^{-3}$ हो जाती है। नए होल की सांद्रता ज्ञात कीजिए।

$n$-प्रकार के अर्धचालक (semiconductor) के लिए निम्नलिखित में से कौन सा कथन सही है?

दाता अशुद्धि के साथ डोप किया गया अर्धचालक किस प्रकार का होता है?

एक जर्मेनियम क्रिस्टल प्लेट के फलकों पर $2.5 \,V$ का विभवांतर लगाया जाता है। क्रिस्टल का क्षेत्रफल $1 \,cm^2$ है और इसकी मोटाई $1.0 \,mm$ है। जर्मेनियम में मुक्त इलेक्ट्रॉन सांद्रता $2 \times 10^{19} \,m^{-3}$ है और इलेक्ट्रॉन तथा होल की गतिशीलता क्रमशः $0.33 \,m^2/V \cdot s$ और $0.17 \,m^2/V \cdot s$ है। प्लेट से प्रवाहित धारा .......... $A$ होगी।

$500 \ K$ तापमान पर एक शुद्ध अर्धचालक में इलेक्ट्रॉन संख्या-घनत्व $(n_e)$ और होल संख्या-घनत्व $(n_h)$ समान हैं,जो $1.5 \times 10^{16} \ m^{-3}$ है। अब,इसमें इंडियम अशुद्धि मिलाने पर होल घनत्व $(n_h)$ बढ़कर $4.5 \times 10^{22} \ m^{-3}$ हो जाता है। यह अशुद्धि मिश्रित अर्धचालक है: